[发明专利]一种集成电阻的发光二极管芯片

权利要求书

1.一种集成电阻的发光二极管芯片，其特征在于：包括左侧半导体电阻（R1）和右侧半导体电阻（R2），在所述左侧半导体电阻（R1）和所述右侧半导体电阻（R2）之间串联有多个发光二极管（L1、L2、L3），所述左侧半导体电阻（R1）、所述右侧半导体电阻（R2）以及所述多个发光二极管除了共用一衬底（1）层外分别由独立的缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、有源区结构（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）以及P型金属欧姆接触层（9）由下至上组合而成；相邻两个发光二极管通过N型层（3）电极与P型金属欧姆接触层（9）电极连接实现串联；所述左侧半导体电阻（R1）和所述右侧半导体电阻（R2）分别都设有两个接触电极，所述左侧半导体电阻（R1）或所述右侧半导体电阻（R2）的一个接触电极与电源的正极或负极连接，另外一个接触电极与相邻发光二极管的N型层（3）或P型金属欧姆接触层（9）连接。

2.根据权利要求1所述集成电阻的发光二极管芯片，其特征在于：所述左侧半导体电阻（R1）、所述右侧半导体电阻（R2）以及多个发光二极管的外表都包裹一层绝缘介质膜（13），但多个发光二极管的N型层（3）电极、多个发光二极管的P型金属欧姆接触层（9）电极以及所述左侧半导体电阻（R1）和所述右侧半导体电阻（R2）的各自两个接触电极上方的绝缘介质膜（13）都去除。

3.根据权利要求1或2所述集成电阻的发光二极管芯片，其特征在于：所述左侧半导体电阻（R1）的P型金属欧姆接触层（9）被P型金属欧姆接触层第一隔离缺口（17）分离成两个接触电极。

4.根据权利要求1至3中任何一项所述集成电阻的发光二极管芯片，其特征在于：所述右侧半导体电阻（R2）P型金属欧姆接触层（9）被P型金属欧姆接触层第二隔离缺口（18）分离成两个接触电极。

5.根据权利要求1至4中任何一项所述集成电阻的发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管为三个：第一发光二极管（L1）、第二发光二极管（L2）和第三发光二极管（L3）；其中，第一发光二极管（L1）的P型金属欧姆接触层（9）电极通过PP结电极连接金属层（162）与左侧半导体电阻（R1）的右侧接触电极连接，第一发光二极管（L1）的N型层（3）电极通过第一PN结电极连接金属层（163）与第二发光二极管（L2）的P型金属欧姆接触层（9）电极连接；第二发光二极管（L2）的N型层（3）电极通过第二PN结电极连接金属层（164）与第三发光二极管（L3）的P型金属欧姆接触层（9）电极连接；第三发光二极管（L3）的N型层（3）电极通过第三PN结电极连接金属层（165）与右侧半导体电阻（R2）的左侧接触电极连接。

6.根据权利要求5所述集成电阻的发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘介质膜（13）的厚度在150nm-450nm之间。

7.根据权利要求6所述集成电阻的发光二极管芯片，其特征在于：所述衬底（1）的材质为蓝宝石、碳化硅或GaN。