[发明专利]GaAs晶片及GaAs晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201110375181.2 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102465344A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 木村健 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gaas 晶片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs晶片，其特征在于，通用硬度在面内一样为4000N/mm2以上4850N/mm2以下。
2.根据权利要求1所述的GaAs晶片，其中，所述GaAs晶片通过LEC法形成，所述GaAs晶片的外径为100mm以上。
3.根据权利要求1或2所述的GaAs晶片，其中，所述GaAs晶片的面方位为(100)面、与(100)面等效的面、(110)面、与(110)面等效的面、(111)面、或与(111)面等效的面。
4.一种GaAs晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：生长工序，将收存有原料及密封材的坩埚进行加热，使晶种接触所述坩埚内被液体密封材覆盖的原料熔液后慢慢提拉所述晶种，使GaAs单晶生长为具有一定的外径；晶片制作工序，将通过所述生长工序得到的所述GaAs单晶进行切片来制作GaAs晶片，
所述生长工序中，所述GaAs单晶与所述原料熔液之间的固液界面的形状在所述原料熔液侧成为凸状，由所述原料熔液与所述液体密封材之间的界面到所述原料熔液中的所述GaAs单晶的顶端部的长度T1、与所述GaAs单晶的外径T2之比T1/T2为0.25≤T1/T2≤0.45，
所述晶片制作工序中得到的所述GaAs晶片的通用硬度在晶片面内一样为4000N/mm2以上4850N/mm2以下。
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