[发明专利]铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器

权利要求书

1.一种铁电薄膜，其采取如下形态，即由选自Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物B混合在由通式：(Pb_xLa_y)(Zr_zTi_(1-z))O₃所示的复合金属氧化物A中的混合复合金属氧化物的形态，式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9，金属氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0≤B/A＜0.1，其特征在于，

层叠2～23层的烧成层而构成，

所述烧成层的厚度t为45～500nm，

所述烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均x为200～5000nm，

所述烧成层均满足1.5t＜x＜23t的关系。

2.一种薄膜电容器，其使用权利要求1所述的铁电薄膜。

3.一种具有权利要求1所述的铁电薄膜的薄膜电容器、电容器、集成无源器件、DRAM存储用电容器、层叠电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、执行器、谐振器、超声波马达或LC噪声滤波器元件的复合电子零件。

4.一种权利要求3所述的与100MHz以上的频带对应的具有铁电薄膜的薄膜电容器、电容器、集成无源器件、DRAM存储用电容器、层叠电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、执行器、谐振器、超声波马达或LC噪声滤波器元件的复合电子零件。