[发明专利]一种集成电阻的发光二极管芯片制作方法

权利要求书

1.一种集成电阻的发光二极管芯片制作方法，发光二极管芯片从下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、有源区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）以及P型欧姆接触层（8），包括以下制作步骤：

步骤1：在P型欧姆接触层（8）表面上方形成P型金属欧姆接触层（9）；

步骤2：将发光二极管芯片分割出多个独立单元，其中在发光二极管芯片两个端部的单元成为半导体电阻形成区；

步骤3：将其余多个独立单元形成多个发光二极管形成区；

步骤4：通过绝缘介质膜（13）将在发光二极管芯片上形成左侧半导体电阻（R1）、右侧半导体电阻（R2）和多个发光二极管（L1、L2、L3）;

步骤5：将左侧半导体电阻（R1）、多个发光二极管以及右侧半导体电阻（R2）的各个电极通过金属合金层（16）进行串联连接。

2.根据权利要求1所述集成电阻的发光二极管芯片制作方法，其特征在于：步骤1通过蒸镀或溅射工艺，在P型欧姆接触层（8）表面形成一层或多层P型金属欧姆接触层（9）。

3.根据权利要求1或2所述集成电阻的发光二极管芯片制作方法，其特征在于：步骤2中包括以下具体分步骤：

步骤21：在P型金属欧姆接触层（9）表面上方形成第一光刻胶层（10）；

步骤22：去除部分第一光刻胶层（10），保留的多块第一光刻胶层（10）用于制作半导体电阻形成区或发光二极管形成区；

步骤23：将暴露的P型材料、有源区以及部分N型材料进行去除；

步骤24：去除剩下所有的第一光刻胶层（10）；

步骤25：对步骤24所得到的发光二极管芯片表面上方形成第二光刻胶层（11）；

步骤26：将半导体电阻形成区独立单元上方的第二光刻胶层（11）进行部分去除，形成缺口；

步骤27：对缺口下方的P型金属欧姆接触层（9）进行完整去除，形成P型金属欧姆接触层第一隔离缺口（17）和P型金属欧姆接触层第二隔离缺口（18）；

步骤28：去除所有剩余的第二光刻胶层（11）。

4.根据权利要求3所述集成电阻的发光二极管芯片制作方法，其特征在于：步骤3中包括以下具体分步骤：

步骤31：在步骤28中得到的发光二极管芯片表面上方形成第三光刻胶层（12）；

步骤32：去除部分第三光刻胶层（12），保留半导体电阻形成区最上方的第三光刻胶层（12），保留多个发光二极管芯片形成区最上方和右侧的第三光刻胶层（12），但发光二极管芯片形成区右侧的第三光刻胶层（12）与另外一个的发光二极管芯片形成区或右侧半导体电阻形成区存在刻蚀缺口（121）；

步骤33：将未覆盖第三光刻胶层（12）的暴露部分进行刻蚀去除所有缓冲层（2）和N型层（3）；

步骤34：去除所有剩余的第三光刻胶层（12）。

5.根据权利要求4所述集成电阻的发光二极管芯片制作方法，其特征在于：步骤4中包括以下具体分步骤：

步骤41：在步骤34中得到的发光二极管芯片表面上方形成绝缘介质膜（13）；

步骤42：在绝缘介质膜（13）表面上方形成第四光刻胶层（14）；

步骤43：去除部分第四光刻胶层（14）在两个半导体电阻的电极形成区和多个发光二级管的电极形成区上形成的多个缺口；

步骤44：将步骤43中多个缺口下方的绝缘介质膜（13）去除；

步骤45：去除剩余所有的第四光刻胶层（14）。