[发明专利]用于测试射频集成电路的系统和方法有效
申请号: | 201110375535.3 | 申请日: | 2011-11-23 |
公开(公告)号: | CN102540052A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | J-P.福斯特纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;蒋骏 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测试 射频 集成电路 系统 方法 | ||
1.一种测试射频集成电路(RFIC)电路的方法,所述RFIC电路包括:RF电路,配置成在高频操作;和片上测试电路,包括配置成在测试模式期间操作的频率生成电路,所述方法包括:
使用所述片上测试电路来生成高频测试信号;
使用片上功率检测器来测量信号电平;并且
使用低频信号来控制和监视所述片上测试电路。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述高频包括大于10GHz的高频,并且所述低频信号包括少于1MHz的频率。
3.一种测试射频集成电路(RFIC)电路的方法,所述RFIC电路包括:RF电路,配置成在高频操作;和片上测试电路,包括配置成仅在测试模式期间操作的频率生成电路,所述方法包括:
使用所述片上测试电路来生成所有高频测试信号;
使用片上功率检测器来测量信号电平;并且
使用低频信号来控制和监视所述片上测试电路。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述高频包括大于10GHz的高频,并且所述低频信号包括少于1MHz的频率。
5.根据权利要求3所述的方法,还包括仅使用低频测试设备来测试所述RF电路的高频信号路径。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述低频测试设备的模拟接口仅使用少于1MHz的频率来与所述RFIC通信。
7.一种集成电路,包括:
射频(RF)电路,包括:
外部高频接口,配置成在第一频带内操作,所述外部高频接口耦合到所述集成电路的输出焊盘,和
第一可切换内部高频接口,配置成在所述第一频带内操作;以及
测试电路,包括:
变频振荡器,耦合到开关,所述开关耦合到所述第一可切换内部高频接口,和
外部低频接口,配置成在第二频带内操作,所述第二频带包括低于所述第一频带的频率。
8.根据权利要求7所述的集成电路,其中所述外部低频接口配置成耦合到低频测试器。
9.根据权利要求7所述的集成电路,其中:
所述第一频带包括大于10GHz的频率;并且
所述第二频带包括少于1MHz的频率。
10.根据权利要求7所述的集成电路,其中所述测试电路还包括:
可变增益放大器(VGA),具有耦合到所述变频振荡器的输入和耦合到所述开关的输出;
第一功率传感器,具有与所述VGA的输出耦合的输入和与所述低频外部接口耦合的输出;
混合器,具有与所述变频振荡器耦合的第一输入和与所述RF电路的第二高频接口耦合的输出;以及
第二功率传感器,包括与所述混合器的所述输出耦合的输入和与所述低频外部接口耦合的输出。
11.根据权利要求10所述的集成电路,其中所述测试电路还包括耦合到所述外部低频接口的温度传感器。
12.根据权利要求10所述的集成电路,其中所述混合器还包括耦合到所述外部低频接口的第二输入。
13.根据权利要求10所述的集成电路,其中所述第一功率传感器和所述第二功率传感器经由模拟复用器耦合到所述外部低频接口。
14.根据权利要求10所述的集成电路,其中所述RF电路包括耦合到所述可切换内部高频接口的本地振荡器(LO)输入。
15.根据权利要求10所述的集成电路,其中所述RF电路包括经由定向耦合器来与所述混合器的所述输出耦合的接收器。
16.根据权利要求7所述的集成电路,还其中所述测试电路还包括:数模转换器(DAC),耦合到所述变频振荡器的频率控制输入;以及分频器,耦合于所述变频振荡器与外部低频输入之间。
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