[发明专利]一种用单质硫作为硫源制备硫化钐薄膜的方法

权利要求书

1.一种用单质硫作为硫源制备硫化钐薄膜的方法，其特征在于：

1)取0.2-2.0g的氯化亚钐(SmCl₂)置于烧杯中，向烧杯中滴加5-80mL的油胺加热搅拌使其均匀溶解得溶液A；

2)向溶液A中加入1.00-10.00g分析纯的单质硫，加热并搅拌均匀得溶液B；

3)用氨水调节溶液B的pH值至2.0-5.0得前驱液C；

4)将羟基化的硅基板置于体积浓度为1～1.5％的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室温下浸泡30～60min，取出后分别用丙酮、四氯化碳冲洗，然后用氮气吹干，在氮气气氛中，于100～110℃干燥10～30min得OTS硅基板；

5)将干燥的OTS硅基板放在紫外线照射仪中，紫外光辐射波波长184.9nm，在一个大气压下，保持照射距离为1～2cm，照射20～60min，使OTS头基的烷基在紫外光的光激发下进行羟基化转变，得到OTS功能化后的硅基板；

6)将功能化后的硅基板置于前驱液C中，将烧杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后将真空干燥皿置于干燥箱中，在60～150℃下沉积1-50h制备硫化钐薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中100～150℃干燥10～20min得硫化钐纳米薄膜。

2.根据权利要求1所述的用单质硫作为硫源制备硫化钐薄膜的方法，其特征在于：所述的羟基化的硅基板是先将硅基板浸泡在王水中，使用超声波加热震荡30min～120min，在室温中自然冷却，然后再用去离子水反复清洗，用N₂吹干，然后在紫外线照射仪中，照射20～60min。