[发明专利]化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置

权利要求书

1.一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，其包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述第一表面上用于放置若干待处理的基片，其特征在于：

所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；

所述支撑装置包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；

所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑，在此位置下，所述支撑部的支撑面至少部分地与所述基片承载架的第二表面的至少部分相接触，并且藉由该接触的支撑面来支撑所述基片承载架。

2.如权利要求1所述的反应器，其特征在于：所述支撑装置的插接部与所述支撑部相连接、并沿所述支撑面向外突起一距离，直至达到能够与所述凹进部相互插接的位置。

3.如权利要求1所述的反应器，其特征在于：所述支撑装置的插接部与所述主轴部的位于所述支撑面下方的某一位置处相连接，并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度，直至达到能够与所述凹进部相互插接的位置。

4.如权利要求1或2或3所述的反应器，其特征在于：所述支撑装置的插接部包括一外周围，所述基片承载架的凹进部包括一内周壁，当所述支撑装置的插接部插接于所述凹进部内时，所述外周围与所述内周壁之间至少部分地具有一间隙，并且所述插接部在所述凹进部内具有一位置，在此位置下，所述外周围至少部分与所述内周壁的至少部分相互接触或相互卡合或相互抵靠。

5.如权利要求1或2或3所述的反应器，其特征在于：所述支撑装置的插接部包括至少一第一插接部和一第二插接部，所述第一插接部和第二插接部相互间隔或彼此相邻。

6.如权利要求5所述的反应器，其特征在于：所述凹进部包括至少一第一凹进部和一第二凹进部，当所述支撑装置的插接部插接于所述凹进部内时，所述第一插接部插入于所述第一凹进部内，所述第二插接部插入于所述第二凹进部内。

7.如权利要求5所述的反应器，其特征在于：所述凹进部为一单一的凹进部，并且所述凹进部的尺寸或形状设置为：当所述支撑装置的插接部插接于所述凹进部内时，使所述至少第一插接部和第二插接部全部容纳于所述凹进部内。

8.如权利要求1或2或3所述的反应器，其特征在于：所述支撑装置的插接部上设置有至少一个卡接键或定位销，所述基片承载架的凹进部的侧壁上设置有与所述卡接键或定位销相匹配的卡接槽，在所述支撑装置的插接部插接于所述凹进部内时，所述卡接键或定位销与所述卡接槽至少部分地卡接或接触或抵靠在一起，使二者保持一起运动。

9.如权利要求1或2或3所述的反应器，其特征在于：所述凹进部包括至少一第一凹进部和一第二凹进部，并且分布于所述基片承载架的第二表面上，所述至少第一凹进部和第二凹进部相互间隔一距离或彼此相邻。

10.如权利要求1或2或3所述的反应器，其特征在于：所述支撑装置的支撑部上设置有若干镂空结构。

11.如权利要求1或2或3所述的反应器，其特征在于：所述支撑装置的主轴部与一旋转机构相连接，所述主轴部由所述旋转机构带动旋转，与所述主轴部相连接的所述插接部再带动或推动或驱动所述基片承载架旋转。

12.一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，其包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述第一表面上用于放置若干待处理的基片，其特征在于：

所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；

所述支撑装置包括：主轴部，其包括一顶端，所述顶端包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；

所述插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑，在此位置下，所述支撑面至少部分地与所述基片承载架的第二表面的至少部分相接触，并且藉由该接触的支撑面来支撑所述基片承载架。