[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及装置和一种制备方法无效
| 申请号： | 201110375847.4 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102386237A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 寇浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77;H01L21/316 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛;田夏 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 装置 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括导电金属层，其特征在于，所述金属层表面形成有绝缘的氧化层。
2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述金属层为Al，所述氧化层为Al2O3。
3.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述金属层为所述薄膜晶体管的栅电极、源极、漏极中的一种或多种。
4.一种阵列基板，包括如权利要求1～3任一所述的一种薄膜晶体管。
5.一种液晶显示装置，包括如权利要求4所述的一种阵列基板。
6.一种薄膜晶体管的制备方法，包括步骤A：在所述薄膜晶体管阵列基板的金属层表面加工出绝缘的氧化层的步骤。
7.如权利要求6所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，氧化层采用微弧氧化方法制成。
8.一种如权利要求6所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，通过延长电解溶液的作用时间，将所述金属层表面晶粒充分氧化，形成致密的氧化层。
9.如权利要求6所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，金属层为所述薄膜晶体管的栅电极、源极、漏极中的一种或多种。
10.如权利要求6所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属层为Al，所述氧化层为Al2O3。
11.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A1：在玻璃基板上形成金属的薄膜晶体管的栅电极；
A2：采用微弧氧化方法，在所述栅电极的金属表面形成绝缘的氧化层；
A3：在所述栅电极的氧化层上连续沉积非晶硅层及掺杂非晶硅层；
A4：在掺杂非晶硅层上形成金属的薄膜晶体管的源电极和漏电极；
A5：采用微弧氧化方法，分别在所述源电极和漏电极的金属表面形成绝缘的氧化层。
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