[发明专利]一种制备Cu2O薄膜的方法

权利要求书

1.一种在蓝宝石衬底上制备Cu₂O薄膜的方法，包括：

1)在蓝宝石衬底上沉积MgO缓冲层；

2)在MgO缓冲层上沉积Cu₂O薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中MgO缓冲层的厚度为1～30nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中MgO缓冲层的沉积过程中，衬底的温度在200-600℃范围内。，

4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤2)包括先沉积Cu₂O缓冲层，再沉积Cu₂O薄膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中Cu₂O缓冲层的厚度为10～30nm。

6.根据权利要求4所述的方法，其中沉积Cu₂O缓冲层时的衬底温度在300-500℃范围内。

7.根据权利要求4所述的方法，其中在沉积Cu₂O缓冲层后，在氧气氛下退火。

8.根据权利要求7所述的方法，其中退火温度在600-800℃范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，其中Cu₂O薄膜的沉积过程中，衬底的温度在500-1000℃范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中采用MBE法进行薄膜的沉积。