[发明专利]一种垂直结构LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成缓冲层、N型氮化镓层、有源层以及P型氮化镓层以及金属反射层；

提供第二衬底，将所述第一衬底倒置于所述第二衬底上，并利用金属焊料层将所述第二衬底的一面与金属反射层键合固定；

将所述第二衬底的另一面固定于一载台上；

对所述第一衬底进行初步粗磨和物理研磨，直至剩余部分第一衬底，剩余的第一衬底厚度小于10um；

对所述第一衬底和缓冲层进行化学机械研磨，直至暴露所述N型氮化镓层。

2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，在利用金属焊料层将所述第二衬底的一面与所述金属反射层键合固定的步骤中，包括：

在所述金属反射层或所述第二衬底上形成金属焊料层；

将所述第一衬底倒置于所述第二衬底上；

对所述金属焊料层进行加热处理，使所述第二衬底的一面与所述金属反射层键合固定。

3.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，在对所述第一衬底进行初步粗磨和物理研磨的步骤之后，剩余部分第一衬底的厚度小于2um。

4.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一衬底的材料为蓝宝石、碳化硅或硅中的一种或其组合。

5.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅、氮化镓或氮化铝中的一种或其组合。

6.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二衬底的另一面通过蜡固定于所述载台上。

7.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二衬底的热膨胀系数为3～7u/m/℃，导热系数大于50W/mK。

8.如权利要求7所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二衬底的材料为铜、钼、铝、硅、镍、锗、钨中的一种或其组合。

9.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金属焊料层的材料为金、铂、镍、锡、钯或铟中的一种或其组合。

10.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，在进行初步粗磨和物理研磨的过程中，利用研磨盘及研磨料对所述第一衬底进行初步粗磨和物理研磨，所述研磨盘的材料为铸铁、软钢、青铜、红铜、铝、玻璃或沥青中一种或者几种的组合；所述研磨料采用莫氏硬度大于等于8的材料。

11.如权利要求10所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述研磨料的材料为金刚石、碳硼合金、氮化钛中的一种或其组合。

12.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，在对所述第一衬底进行化学机械研磨的步骤中，采用研磨垫、抛光液和研磨料对所述第一衬底进行研磨，所述研磨垫的材料为硬质弹性抛光布或软质粘弹性抛光布；所述研磨液为碱性溶液，所述研磨料的材料为二氧化硅、氧化铝、氧化锆中的一种或其组合，所述研磨料的颗粒直径为10nm～100nm。

13.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金属反射层的反射率大于等于70％。

14.如权利要13所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金属反射层的材料为镍、银、金、铂或铹中的一种或其组合。