[发明专利]一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法有效
申请号: | 201110376731.2 | 申请日: | 2011-11-23 |
公开(公告)号: | CN102649583A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 张建武;侯纪伟;王中平;张增明;丁泽军 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | C01G31/02 | 分类号: | C01G31/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230026*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合成 单斜 纳米 氧化 钒粉体 方法 | ||
1.一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,包括以下步骤:
(1)配置五氧化二钒悬浮液,加热,搅拌10~15分钟;
(2)向步骤(1)中加入浓硫酸,搅拌10~15分钟;
(3)向步骤(2)中溶液中加入水合肼,搅拌,形成澄清透明蓝色溶液;
(4)向步骤(3)蓝色溶液中加入碱性溶液,产生沉淀;
(5)抽滤步骤(4)中沉淀,通入保护性气体,加热,在400~700℃保温60~120分钟,得到高纯度单斜相纳米二氧化钒。
2.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(1)中五氧化二钒悬浮液的浓度为0.10~0.40mol/L。
3.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(1)中加热的温度50~95℃。
4.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(2)中加入质量分数为98%的浓硫酸为0.5~2.5ml。
5.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(3)中加入质量分数为85%的水合肼,加入量为0.4~0.8ml,搅拌形成澄清透明溶液。
6.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(4)中加入的碱性溶液,浓度为不低于1mol/L氨水,氢氧化钠,氢氧化钾,碳酸氢氨溶液,直到不再产生沉淀。
7.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(5)中加热的升温速率为5~10℃/min。
8.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(5)中抽滤时,清洗液采用不低于0.5mol/L的氨水溶液或氢氧化钠溶液,碳酸氢铵溶液,氢氧化钾溶液清洗一次,后再用质量分数为99.3%的无水乙醇清洗一次。
9.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(5)中通入保护性气体为高纯氮气,高纯氩气,高纯氦气或以上气体的任意混合。
10.如权利要求1所述的一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法,其特征在于:所述步骤(5)中得到的单斜相纳米二氧化钒颗粒,其形貌近似为球形,尺寸大小为20-40纳米,单斜相到金红石相相转变温度为67.7℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110376731.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种微控节电器
- 下一篇:一种交流LED的高压保护电路