[发明专利]边射型半导体激光元件、其制作方法及具有该元件的晶条

说明书

技术领域

发明有关于一种光电元件的制作方法，尤指一种边射型半导体激光二极管的制作方法。

背景技术

半导体激光(semiconductor laser)或称激光二极管(laser diode)具有体积小、消耗功率低、反应快、耐冲击、寿命长、效率高及价格低等优点，因此被广泛的应用于光电系统产品中，例如：光波通信、资讯系统、家用电器、精密测量及光纤通信。

配合参阅图1(A)，为现有的边射型(edge emitting)半导体激光元件的立体图。该边射型半导体激光元件900包含一半导体基板902，以及利用磊晶技术依序形成于该半导体基板902上的一第一披覆层(cladding layer)904、一活性层(activelayer)906、一第二披覆层908及一上盖层910；其中，该上盖层910及该第一披覆层908被适当地蚀刻并形成一脊状平台(ridge masa)920。该上盖层910及该第二披覆层908上依序形成一保护层912及一电极层914，该半导体基板902的背面则形成有另一电极层916。

同时配合参阅图1(B)，为现有的边射型半导体激光元件的侧视图。该边射型半导体激光元件900的侧面包含有两个相对的刻面(facet)930，该两个刻面930设置有一镀膜(facet coating)940，以保护该边射型半导体激光元件900并增加光射出的效率。并且，较佳地，该其中之一刻面930的镀膜940可以为一抗反射膜，另一刻面930的镀膜940则为一高反射膜，使由该边射型半导体激光元件900发出的光线由设置该抗反射膜的刻面930射出。

现有的边射型半导体激光元件在镀制上述镀膜前，是将已设置有上述第一披覆层904、活性层906、第二披覆层908、上盖层910、保护层912及金属层914、916的呈晶圆状的半导体基板902劈裂成多个晶条90，使产生两个相对的刻面930。接着，将该多个晶条90与多个间隔件(spacer bar)80沿着一轴线A交错堆迭，如图1(C)所示，在本实施例中，该两个刻面930之间的距离大约为250微米(μm)，该多个间隔件80的宽度为240μm，以使该镀膜940可以完整附着于该两个刻面930。接着，使用电子束蒸镀(Electron Beam Evaporation，E-beamEvaporation)技术于该多个刻面930形成该镀膜940。之后，再将该多个晶条90及该多个间隔件80分离后，再将各该晶条90劈裂成为多个晶粒状的边射型半导体激光元件900。

然而，该多个间隔件80的购置及贮存增加该边射型半导体激光元件900的制作成本，并且，堆迭及分离该多个晶条90及该多个间隔件80增加该边射型半导体激光元件10的制作工时。

发明内容

鉴于现有技术所述，本发明的一目的，在于提供一种边射型半导体激光元件，该边射型半导体激光元件可以有效地降低整体制作成本。

本发明的另一目的，在于提供一种边射型半导体激光元件的制作方法，无须间隔件即可以有效地于边射型半导体激光元件的刻面形成镀膜。

为达上述目的，本发明提供一种边射型半导体激光元件，其包括有：

一半导体基板，其具有包括一下表面；其中，该边射型激光元件具有一第一端面及相对于该第一端面的一第二端面，且定义有一宽度方向垂直贯穿于该第一端面与该第二端面、以及一高度方向垂直贯穿于该下表面且与该宽度方向垂直；

一半导体层，形成于该半导体基板上，该半导体层包含有一边射型半导体激光电路，该边射型半导体激光电路被施加一预定电流时在该第一端面与该第二端面两者其中之一发出一激光；以及

至少一凸柱，形成于该半导体层上，该凸柱于该高度方向上自该半导体层再凸伸出一预定高度，使该凸柱成为该边射型半导体激光元件于该高度方向上实质最高处。

所述的边射型半导体激光元件，其中，该半导体层更包括有：

一第一披覆层，设置于该半导体基板上方；

一主动层，设置于该第一披覆层上方；以及

一第二披覆层，设置于该主动层上方，该第二披覆层具有一脊状平台；

并且，该边射型半导体激光元件更包含有：

一第一电极层，设置于该脊状平台及该第二披覆层；

一第一反射层，设置于该第一端面；以及

一第二反射层，设置于该第二端面；

其中，该第一反射层具有一第一反射率，该第二反射层具有一第二反射率，该第一反射率小于该第二反射率；并且，该凸柱提供堆迭多个边射型半导体激光元件时，于相邻的两个边射型半导体激光元件之间在该高度方向上产生一间隙。