[发明专利]生产多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201110376882.8 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102491338A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 虞海盈 | 申请（专利权）人： | 虞海盈 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315100 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生产 多晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生产多晶硅的方法，其特征在于：包括步骤如下：
将硅原料放入坩埚中，通过电子束熔化原料的顶部，形成熔融状态；
在达到1500℃的熔融状态下保温，并加入造渣剂进行氧化造渣、去渣；
将去渣后的硅熔液倒入容器中，并保温36小时凝固成锭；
切除硅锭顶部，打磨四周、去除金属杂质，以得到低磷、低金属多晶硅锭。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述被切除顶部占总高度的8％。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述造渣剂为Na2SiO3、SiO2和CaF2，且它们的重量比为6∶3.2∶1.2。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述造渣剂与工业硅的重量比为1∶3。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将硅锭破碎至100至200目、筛分，磁选后，放入容器中；
加入浓度为25％的混合酸，升温至90℃，搅拌反应5小时；
过滤并洗涤至Ph中性；
脱水、烘干成硅粉并包装。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述硅份加热至完全熔融，并保温40至50分钟，然后将熔融硅浇注到定向凝固柑祸内，冷却得到多晶硅。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多晶硅为太阳能级的多晶硅。
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