[发明专利]不同阴离子的离子液体功能化硅胶填料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110377108.9 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102489344A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 孙敏;罗川南 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: B01J41/20 分类号: B01J41/20;B01J41/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250022 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 不同 阴离子 离子 液体 功能 硅胶 填料 制备 方法
【权利要求书】:

1.不同阴离子的离子液体功能化硅胶填料的制备方法,其特征在于方法依次包括以下A、B、C三个步骤:

A.氯丙基硅胶的合成

将已活化的硅胶加入反应容器中,以甲苯作反应溶剂,机械搅拌均匀,加入适量的氯丙基硅烷,搅拌回流。反应完毕后冷却,真空抽滤,依次用甲苯、乙醇、乙醇-水(v/v,1∶1)、水、甲醇洗涤,真空干燥,得到氯丙基硅胶。

B.氯盐离子液体修饰硅胶的合成

将氯丙基硅胶加入反应容器中,以甲苯或N,N’-二甲基甲酰胺作反应溶剂,机械搅拌均匀,加入适量的1-甲基咪唑或吡啶,在一定温度下进行搅拌。反应完毕后冷却,抽滤,依次用乙醇、水、甲醇洗涤,真空干燥,得到氯盐离子液体修饰硅胶。

C.不同阴离子的离子液体功能化硅胶填料的合成

将氯盐离子液体修饰硅胶装填色谱柱,用目标阴离子的盐溶液通过色谱柱,利用离子交换法制备目标阴离子的离子液体功能化硅胶填料。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于A步骤中,氯丙基硅烷是指3-氯丙基三氯(三甲/乙氧基)硅烷,硅胶与氯丙基硅烷的质量比为1∶0.3-1∶2,硅胶质量与甲苯体积的配比为1∶5-1∶10,反应时间为12-48小时。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于B步骤中,与氯丙基硅胶反应的功能单体为1-甲基咪唑或吡啶,氯丙基硅胶与1-甲基咪唑或吡啶的质量比为1∶0.3-1∶2。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于B步骤中,制备氯盐离子液体修饰硅胶的反应温度为60-140℃,反应时间为12-72小时。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于C步骤中,目标阴离子的离子交换过程之前,氯盐离子液体修饰硅胶被装填色谱柱。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于C步骤中,用目标阴离子的钠盐、钾盐或铵盐等溶液通过色谱柱,浓度为5-100mmol L-1,体积为20-200mL,依次用水、甲醇冲洗目标阴离子交换后的色谱柱。

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