[发明专利]一种金属光栅耦合SPR检测芯片及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201110378092.3 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102435557A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 王逸群;刘帆 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G01N21/25 分类号: G01N21/25
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 光栅 耦合 spr 检测 芯片 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是,它包括:

透明基底;

形成于透明基底上的金属光栅耦合层,所述金属光栅耦合层上修饰有用以识别待检测样品的生物分子,且所述金属光栅耦合层的光栅周期在1000nm以下;

以及,覆设于金属光栅耦合层上的微流体层,所述微流体层中分布的微流体通道与金属光栅耦合层交叉接触。

2.根据权利要求1所述的金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是:所述透明基底由透明有机材料或透明无机材料构成,所述透明无机材料包括玻璃。

3.根据权利要求1所述的金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是:所述金属光栅耦合层由Au或Ag形成,其厚度在200nm以下。

4.根据权利要求1所述的金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是:所述微流体层由透明有机材料制成,所述透明有机材料包括聚二甲基硅氧烷。

5.根据权利要求1所述的金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是:所述微流体层与金属光栅耦合层键合。

6.一种如权利要求1所述金属光栅耦合SPR检测芯片的制作方法,其特征在于,它包括以下步骤:

a)、在透明基底表面上均匀涂覆光刻胶层;

b)、应用激光全息光刻工艺在前述光刻胶层上形成条纹光栅;

c)、利用金属镀膜工艺在前述条纹光栅上形成金属膜,所述金属镀膜工艺包括电子束蒸发工艺;

d)、剥离光刻胶,得到金属光栅耦合层;

e)、在前述金属光栅耦合层表面修饰用以识别待检测样品的生物分子;

f)、制作具有微流体通道的微流体层;

g)、将制备好的微流体层与金属光栅耦合层键合,得到目标产物。

7.根据权利要求6所述金属光栅耦合SPR检测芯片的制作方法,其特征是:步骤c)形成的金属膜的材质为Au或Ag,其厚度在200nm以下,且最终所形成的金属光栅周期在1000nm以下。

8.根据权利要求6所述的金属光栅耦合SPR检测芯片的制作方法,其特征是:步骤f)中微流体层的制作方法为:以透明有机材料为主体材料,通过光刻胶作为掩膜曝光形成微流体通道图形,再蚀刻图形得到目标产品;

所述透明有机材料包括聚二甲基硅氧烷。

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