[发明专利]一种金属光栅耦合SPR检测芯片及其制作方法无效
申请号: | 201110378092.3 | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN102435557A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 王逸群;刘帆 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G01N21/25 | 分类号: | G01N21/25 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 光栅 耦合 spr 检测 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是,它包括:
透明基底;
形成于透明基底上的金属光栅耦合层,所述金属光栅耦合层上修饰有用以识别待检测样品的生物分子,且所述金属光栅耦合层的光栅周期在1000nm以下;
以及,覆设于金属光栅耦合层上的微流体层,所述微流体层中分布的微流体通道与金属光栅耦合层交叉接触。
2.根据权利要求1所述的金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是:所述透明基底由透明有机材料或透明无机材料构成,所述透明无机材料包括玻璃。
3.根据权利要求1所述的金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是:所述金属光栅耦合层由Au或Ag形成,其厚度在200nm以下。
4.根据权利要求1所述的金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是:所述微流体层由透明有机材料制成,所述透明有机材料包括聚二甲基硅氧烷。
5.根据权利要求1所述的金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是:所述微流体层与金属光栅耦合层键合。
6.一种如权利要求1所述金属光栅耦合SPR检测芯片的制作方法,其特征在于,它包括以下步骤:
a)、在透明基底表面上均匀涂覆光刻胶层;
b)、应用激光全息光刻工艺在前述光刻胶层上形成条纹光栅;
c)、利用金属镀膜工艺在前述条纹光栅上形成金属膜,所述金属镀膜工艺包括电子束蒸发工艺;
d)、剥离光刻胶,得到金属光栅耦合层;
e)、在前述金属光栅耦合层表面修饰用以识别待检测样品的生物分子;
f)、制作具有微流体通道的微流体层;
g)、将制备好的微流体层与金属光栅耦合层键合,得到目标产物。
7.根据权利要求6所述金属光栅耦合SPR检测芯片的制作方法,其特征是:步骤c)形成的金属膜的材质为Au或Ag,其厚度在200nm以下,且最终所形成的金属光栅周期在1000nm以下。
8.根据权利要求6所述的金属光栅耦合SPR检测芯片的制作方法,其特征是:步骤f)中微流体层的制作方法为:以透明有机材料为主体材料,通过光刻胶作为掩膜曝光形成微流体通道图形,再蚀刻图形得到目标产品;
所述透明有机材料包括聚二甲基硅氧烷。
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