[发明专利]具有两个传输栅极截止电压线的图像传感器无效
申请号: | 201110378099.5 | 申请日: | 2011-11-14 |
公开(公告)号: | CN102469278A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 代铁军 | 申请(专利权)人: | 美商豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 两个 传输 栅极 截止 电压 图像传感器 | ||
1.一种设备,其包括:
像素阵列,所述阵列的每个像素包括:
光敏元件;以及
与光敏元件耦合的传输晶体管,所述传输晶体管具有传输栅极;
第一传输栅极截止电压供应导体;
第二传输栅极截止电压供应导体;以及
与第一传输栅极截止电压供应导体和第二传输栅极截止电压供应导体耦合的电路,所述电路可操作以将第一传输栅极截止电压供应导体耦合至所述阵列的像素的第一子组的传输栅极,且同时将第二传输栅极截止电压供应导体耦合至所述阵列的像素的第二子组的传输栅极。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,第一传输栅极截止电压供应导体可操作以供应第一传输栅极截止电压,其中第二传输栅极截止电压供应导体可操作以供应第二传输栅极截止电压,且其中第一传输栅极截止电压与第二传输栅极截止电压显著不同。
3.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述阵列的像素的第一子组包括被选择用于读出的像素,其中所述阵列的像素的第二子组包括未被选择用于读出的像素,且其中第一传输栅极截止电压与第二传输栅极截止电压相比与传输栅极导通电压的电压差更大。
4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,传输晶体管包括N型场效应晶体管,其中第一传输栅极截止电压具有从-1.5V至-2.5V范围内的电压,且其中第二传输栅极截止电压具有从-0.5V至-1.5V范围内的电压。
5.如权利要求4所述的设备,其特征在于,所述第一传输栅极截止电压在从-1.8V至-2.2V的范围内,其中第二传输栅极截止电压具有从-0.8V至-1.2V的范围内的电压。
6.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一传输栅极截止电压供应导体可操作以供应第一传输栅极截止电压,其中第二传输栅极截止电压供应导体可操作以供应第二传输栅极截止电压,且其中第一传输栅极截止电压与第二传输栅极截止电压具有基本相同的电压值。
7.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述像素的第一子组是被选择用于读出的像素,且其中所述像素的第二子组是未被选择用于读出的像素。
8.如权利要求7所述的设备,其特征在于,被选择用于读出的像素的第一子组包括一行或多行像素。
9.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述电路包括:
第一组的一个或多个开关,所述第一组的一个或多个开关与第一传输栅极截止电压供应导体和第二传输栅极截止电压供应导体耦合,且各自与所述像素中的所述第一子组中的不同像素行中的像素的传输栅极耦合;以及
第二组的一个或多个开关,所述第二组的一个或多个开关与第一传输栅极截止电压供应导体和第二传输栅极截止电压供应导体耦合,且各自与所述像素中的所述第二子组中的不同像素行中的像素的传输栅极耦合。
10.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述像素阵列包括至少12百万像素。
11.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述设备包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
12.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一传输栅极截止电压供应导体和第二传输栅极截止电压供应导体各自包括选自线、导线、导轨、互连及导电路径中的一个或多个。
13.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括:
经光耦合以在所述像素阵列上聚焦光的一个或多个透镜;
经光耦合以容许光经过所述一个或多个透镜的快门;
用于处理图像数据的处理器;以及
用于储存图像数据的存储器。
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