[发明专利]一种探测二维纳米结构材料薄膜表面缺陷的方法无效
申请号: | 201110378195.X | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN102495065A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 郭剑;魏芹芹;魏子钧;赵华波;傅云义;黄如;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88;G01N23/22 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测 二维 纳米 结构 材料 薄膜 表面 缺陷 方法 | ||
1.一种用于探测厚度在100纳米以下的二维纳米结构材料薄膜表面缺陷分布的方法,步骤如下:
1)将样品进行预先烘干,将样品表面的水分子清除掉;
2)控制样品表面水蒸气的相对湿度,进行凝结和蒸发操作;
3)获取薄膜材料表面的水珠在单次和多次凝结情况下的分布特征,分析并确定样品表面的缺陷分布规律。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中,先将待检测样品固定在衬底表面上,衬底要求表面平整,并且在150℃下不会发生变形或者释放气体,衬底材料是金属、Si/SiO2、玻璃、塑料或云母。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中,样品是沿衬底表面放置,或是垂直于衬底表面放置,或与衬底表面成任意的角度放置。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)中采用加热去离子水产生水蒸气,去离子水需要加热至50~80℃范围的某一任意温度,并导入惰性气体,即通过将惰性气体通入盛放热去离子水的容器中实现,或利用抽气机抽取空气,并经过净化管去除灰尘和水汽,导入盛放去离子水的容器中。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤2)采用水蒸气通路上的节流阀控制混合气体的流速在80~200cm-3/s,喷射水蒸气时间控制在0.5s至5s之间。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)采用环境扫描电镜自带的水蒸气制造装置产生水蒸气,该环境扫描电镜的控制腔内相对湿度至80%进行凝结操作,相对湿度降低至40%进行蒸发操作。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)中凝结操作进行多次,凝结操作在普通室内环境下进行时,则水蒸气喷射、凝固和蒸发进行1~3次;凝结操作在超净室内进行,则水蒸气喷射次数小于20次。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤3)中采用光学显微镜及其电荷藕合器件成像系统同步动态拍摄和录像,或环境扫描电子显微镜及其附属的成像系统,获取薄膜材料表面的水珠在单次和多次凝结情况下的形态、数量和分布特征。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤3)中对于单次凝结水蒸气分布的分析方法是:若某一区域没有水珠分布,表明此区域的缺陷很少、或者几乎没有;若某一区域的水珠呈点状随机分布、无明显几何特征,则该区域缺陷属于点缺陷;若水珠呈线形分布,且水珠并非分布在样品表面可见条纹的某一侧,则此类缺陷属于线缺陷、边界或晶界;若水珠呈线状分布,且水珠同时分布在样品表面的条纹的某一侧,则此类缺陷属于皱褶或者台阶;根据水珠的数量、密度和分布,可准确确定二维纳米结构材料薄膜表面缺陷的数量和密度;对于多次凝结水蒸气分布的分析方法是:随着凝结水蒸气次数的增加,水珠的密度也将显著减少,则鉴别为点缺陷、线缺陷、边界和晶界类型。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,被检测的二维纳米结构材料薄膜为单层石墨烯、两层、多层石墨烯、石墨薄膜、硫化钼及其他硫化物、六方氮化硼、Ti3SiC2、Ti2AlC、Ti2AlN、Ti2GeC、TiGeC2、V2AlC、Ta2AlC、Nb2AlC和云母。
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