[发明专利]在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备和方法

权利要求书

1.在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，该设备至少有一台热蒸发沉积装置，该装置有管状加热器，与管状加热器组合对管状加热器保温隔热的管状保温隔热外罩，导电膜材料或半导体材料呈固体管状包覆于芯棒上成为热蒸发的靶材管，靶材管外表面与管状加热器内表面形成套管空间，在套管空间内靶材管被加热器加热蒸发，产生的蒸气在套管空间引导下流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口、沉积在传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃或金属基片上，经结晶形成导电膜或半导体膜层。

2.如权利要求1所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状加热器具有渗透性微孔和/或微缝，管状加热器与管状保温隔热外罩之间有工艺和/或驱动气体通道，工艺和/或驱动气体从管状保温隔热外罩引入工艺和/或驱动气体通道、并能向内渗透过管状加热器与靶材管受热产生的蒸气在套管空间中产生化合反应和/或混合，驱动蒸气在套管空间引导下流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口，蒸气沉积在经传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃或金属基片上，经结晶形成导电膜或半导体膜层。

3. 如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于在热蒸发沉积装置之后，设有稳定热量、蒸气压或蒸气分压、对未沉积蒸气起反射功能、与基片共同形成狭缝的辅助沉积结晶板。

4. 如权利要求3所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于辅助沉积结晶板由陶瓷烧结制成，有导电加热功能。

5. 如权利要求3所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于辅助沉积结晶板是由碳化硅加石墨烧结而成，有导电加热功能。

6.     如权利要求3所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于辅助沉积结晶板与基片共同形成的狭缝间隙为3～15mm，辅助沉积结晶板在基片前进方向的长度为300～1500mm。

7.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状加热器是碳化硅加石墨烧结而成，其上有内、外表面贯通的微缝和/或微孔，管状保温隔热外罩是陶瓷烧结而成。

8.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于靶材管是导电膜材料或半导体材料烧结并与芯棒装配为一体而成的管状体。

9.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于靶材管是导电膜材料或半导体材料经热喷涂沉积在芯棒上形成的。

10.如权利要求9所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于靶材管是导电膜材料或半导体材料经等离子体热喷涂沉积在芯棒上形成的。

11.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于靶材管是导电膜材料或半导体材料经热蒸发沉积在芯棒上形成的。

12.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状保温隔热外罩外有用不锈钢金属板包覆保温隔热纤维或保温隔热陶瓷组成的保温隔热层，不锈钢金属板外布置有通冷却介质管路。

13.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于设备有靶材管移出送进机构。

14.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于设备中有进片室或放卷室、有加热段、沉积段、热处理段的沉积室和出片室或收卷室，沉积室中至少有一台热蒸发沉积装置，进片室或放卷室、出片室或收卷室的两端设置密封门锁，将沉积室与大气隔绝，至少在沉积室中设置抽气系统和保护气体充气系统。

15.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于靶材管中的芯棒有通冷却液和/或加温液的通道。

16.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于芯棒是SiC、或SiC+石墨、或氧化硅铝、或石英材料制成。

17.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于传动装置传动的基片沉积膜面距气体流出轴向狭缝开口距离为0.3～20mm。