[发明专利]一种带隙基准源

权利要求书

1. 一种带隙基准源，其特征在于包括：一个NMOS管M_CAS、一个低噪误差放大器A0、一个基极与集电极连接成二极管形式的PNP管Q1和Q2，以及分压电阻Rs和Rf，其中所述PNP管Q1和Q2的发射极分别连接分压电阻Rf的第一分压支路和分压电阻Rs、Rf相串联的第二分压支路，所述低噪误差放大器的正输入端接入第一分压支路，且其负输入端接入第二分压支路的两分压电阻之间，所述NMOS管M_CAS的栅极与低噪误差放大器A0的输出相连，且源极与第一、第二分压支路汇聚相接为带隙基准源的输出V_bg。

2.如权利要求1所述的一种带隙基准源，其特征在于：所述低噪误差放大器的结构组成包括由NPN对管Q3和Q4组成的差分对、作为尾电流源的电阻R_tail以及由PMOS管M_P3、M_P4和电阻R_L构成的源极负反馈负载电路，其中NPN对管Q3、Q4的基极分别为放大器的正、负输入端，且NPN对管Q4的集电极为低噪误差放大器的输出。

3.如权利要求1所述的一种带隙基准源，其特征在于：所述PNP管Q1具有负温度系数，PNP管Q2的面积是PNP管Q1的8倍，且所通过的电流相同。

4.如权利要求1所述的一种带隙基准源，其特征在于：所述NMOS管M_CAS为零阈值器件。