[发明专利]磊晶用基板及其制作方法

权利要求书

1.一种磊晶用基板，包含：一个顶面；其特征在于：所述磊晶用基板还包含多个自所述顶面向下延伸的晶面，其中，每n个晶面构成一角锥形的凹孔，n是不小于3的正整数，每一凹孔的其中一晶面与顶面的连接线至另一最相邻凹孔的最相邻晶面与顶面的连接线的间距不大于500nm，而使得用所述磊晶用基板磊晶时自所述晶面成核后成长并聚集。

2.根据权利要求1所述的磊晶用基板，其特征在于：所述磊晶用基板是六方晶体结构，且每三个晶面构成一个正三角锥形的凹孔，每一凹孔的深度是0.3μm～3μm，且任一晶面与顶面的连接线的长度是1μm～5μm。

3.根据权利要求2所述的磊晶用基板，其特征在于：所述顶面是(0001)面，所述晶面是面族群其中的一个，任一晶面与所述顶面的巨观夹角是119°～156°。

4.根据权利要求1所述的磊晶用基板，其特征在于：所述磊晶用基板是六方晶体结构，每一凹孔是由三个晶面构成的，且每一晶面与所述顶面具有两实质等长且夹成120°的连接边，每一凹孔的深度是0.3μm～3μm，且任一连接边的长度是1μm～5μm。

5.根据权利要求4所述的磊晶用基板，其特征在于：所述顶面是(0001)面，所述晶面是面族群其中的一个，任一晶面与顶面的巨观夹角是119°～156°。

6.一种磊晶用基板的制作方法，其特征在于：所述磊晶用基板的制作方法包含：(a)于一单晶结构的基板顶面上以蚀刻选择比较所述基板高的材料形成一层具有多个整齐排列的穿孔的遮覆层；(b)经所述遮覆层自所述基材顶面向下湿蚀刻，而在所述基板对应于每一穿孔的位置处形成一个至少由三第一次蚀刻面构成的凹穴；(c)移除所述遮覆层，使所述基板顶面裸露；及(d)自所述基板顶面与所述第一次蚀刻面进行湿蚀刻而沿所述基板的结晶构造移除所述基板的预定结构，使得所述每一凹穴成为一由n个自所述基材顶面斜向下延伸的晶面构成的角锥形凹孔，其中，n是不小于3的正整数，制得所述磊晶用基板。

7.根据权利要求6所述的磊晶用基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(d)是进行湿蚀刻至所形成的每一凹孔的任一晶面与所述顶面的连接处是直线，且两最相邻凹孔彼此最相邻的晶面与所述顶面连接处的间距不大于500nm为止。

8.根据权利要求7所述的磊晶用基板的制作方法，其特征在于：所述基板是六方晶体结构且顶面是(0001)面，同时，所述步骤(a)形成的遮覆层的穿孔是正多边形，开口是1μm～5μm，且任两相邻的穿孔的间距是1μm～5μm。