[发明专利]发光二极管结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110378993.2 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102376841A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 潘科豪 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管结构，包括：
一发光二极管芯片，具有一底面、相对于该底面的至少一顶面以及与该顶面相连的至少一侧壁，并具有配置于该顶面上的一电极；以及
一绝缘层，配置于该侧壁上，并暴露出该电极，其中该绝缘层是利用一氧化法将该发光二极管芯片侧壁的材料进行氧化所形成。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该绝缘层暴露出该顶面。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该发光二极管芯片包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一发光层，其中该发光层位于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该绝缘层的材质包括第一型掺杂半导体层的氧化物、发光层的氧化物以及第二型掺杂半导体层的氧化物。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该绝缘层的材质包括含镓的氧化物以及含氮的氧化物或是包括含镓的氧化物以及含磷的氧化物。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该绝缘层的材质包括含硅的氧化物或是硫及其化合物。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该氧化法包括干式氧化法或湿式氧化法。
8.一种发光二极管结构，包括：
一发光二极管芯片，具有一底面、相对于该底面的至少一顶面以及与该顶面相连的至少一侧壁，并具有配置于该顶面上的一电极；以及
一绝缘层，配置于该侧壁上，并暴露出该电极，其中该绝缘层是利用一氧化法将该发光二极管芯片侧壁的材料进行氧化所形成，
其中该绝缘层暴露出该顶面，
其中该发光二极管芯片包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一发光层，其中该发光层位于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间。
9.如权利要求8所述的发光二极管结构，其中该绝缘层的材质包括第一型掺杂半导体层的氧化物、发光层的氧化物以及第二型掺杂半导体层的氧化物，
或者该绝缘层的材质包括含镓的氧化物以及含氮的氧化物或是包括含镓的氧化物以及含磷的氧化物，
或者该绝缘层的材质包括含硅的氧化物或是硫及其化合物。
10.如权利要求8所述的发光二极管结构，其中该氧化法包括干式氧化法或湿式氧化法。
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