[发明专利]制造受保护免于反向工程的集成电路的方法

权利要求书

1.一种在半导体芯片上制造集成电路(IC)的方法，所述方法包括：

-设计(PH2)包括实现相同基本功能(Fi)的至少第一标准单元和第二标准单元(Ck)的所述集成电路(IC)的架构(ICA)，

-设计(PH3，PH3′，PH3″)对应于所述集成电路架构的集成电路布局(ICL)，

-根据所述集成电路布局制造(PH4)所述集成电路，

其特征在于，所述方法包括：

-针对所述标准单元设计(S1，S2，S34，S59)呈现随机差异的至少第一单元布局和第二单元布局(Lij)，

-使用(S15，S36，S59)所述第一单元布局实现所述集成电路布局中的所述第一标准单元，以及

-使用(S15，S36，S55)所述第二单元布局实现所述集成电路布局中的所述第二标准单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中利用所述第一布局和所述第二布局实现的所述第一单元和所述第二单元具有相同的电特性。

3.根据权利要求1和权利要求2之一所述的方法，其中所述第一单元布局和所述第二单元布局(Lij)被设计成使得仅单元的一个或更多个静态节点呈现具有随机差异的不同布局。

4.根据权利要求1至权利要求3之一所述的方法，包括：

-针对所述基本功能(Fi)设计(S2)多个(N)单元布局(Li1-LiN)，每个单元布局相对于其它单元布局呈现随机差异，

-将所述多个单元布局(Lij)存储(S3)在库(LIB)中，

-在所述库中随机选择(S13)第一单元布局，并且使用(S15)随机选择的第一单元布局实现所述集成电路布局中的所述第一标准单元，以及

-在所述库中随机选择(S13)第二单元布局，并且使用(S15)随机选择的第二单元布局实现所述集成电路布局中的所述第二标准单元。

5.根据权利要求4所述的方法，包括：如果所述第一标准单元的实例数目大于可用于实现所述集成电路布局(ICL)中的所述第一标准单元的单元布局(Lij)的数目(N)，则至少两次使用同一随机单元布局来实现所述第一标准单元。

6.根据权利要求1至权利要求3之一所述的方法，包括：

-针对所述基本功能(Fi)设计(S21)单元布局(Li1)，

-当所述单元布局将被放置在所述集成电路布局(ICL)中从而实现所述第一标准单元时随机更改(S34)所述单元布局，并且使用(S36)第一随机更改的单元布局实现所述第一标准单元，以及

-当标准单元布局(Li1)将被放置在所述集成电路布局中从而实现所述第二标准单元时随机更改(S34)所述标准单元布局(Li1)，并且使用(S36)第二随机更改的单元布局实现所述第二标准单元。

7.根据权利要求1至权利要求3之一所述的方法，包括：

-针对所述基本功能设计(S41)单元布局(Li1)，

-使用(S55)所述单元布局实现所述集成电路布局(ICL)中的第一标准单元和第二标准单元，然后

-随机更改(S59)所述第一标准单元和所述第二标准单元中的至少一个的单元布局。

8.根据权利要求1至权利要求7之一所述的方法，包括：

-针对所述第一标准单元和所述第二标准单元(Ck)定义标准单元布局(Li1)，

-针对所述标准单元布局的至少一个结构元件定义(S22)至少一个定制参数(CPi)，以及

-随机改变(S34)所述定制参数，以设计相对于所述标准单元布局呈现随机差异的至少第二单元布局。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述结构单元选自由以下组成的群组中：掺杂硅多边形(PR，NR)、多晶硅多边形(P1，P2，P3)、金属多边形(M1)和两个多边形之间的互连(C1-C6，V1-V4)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述定制参数(CPi)是多边形的长度、多边形的宽度、多边形的形状、两个多边形之间的距离、互连的位置或者两个互连之间的距离。