[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)技术在近些年来发展迅速，液晶显示器在正面观看画面显示效果很好，而从侧面观看就会出现变色。广视角(Wide Viewing Angle)技术由于降低了侧面看屏幕产生的变色程度，而成为新的发展趋势。ADSDS(Advanced Super Dimension Switch)，简称ADS，即高级超维场转换技术是液晶界为解决大尺寸、高清晰度桌面显示器和液晶电视应用而开发的广视角技术。其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

如图1所示，ADS模式的液晶面板包括彩膜基板12和阵列基板，阵列基板包括位于下部的形成于基板1上的透明氧化铟锡(ITO)公共电极(Vcom，可视为板状电极)3，和位于上部的钝化层(Passivation)7上的像素(Pixel，可视为狭缝状电极)电极8’。其中像素电极8’通过曝光、显影、刻蚀和剥离形成图案(Pattern)。彩膜基板12和阵列基板之间发生多维电场后在大部分领域上使光透过，从而可以实现高亮度的广视角。ADS模式液晶面板的透过率与像素电极8’的间距(Pitch)a相关。

目前的液晶面板其像素电极的间距a一般是8～10um，像素电极的间距a等于像素电极的宽度(CD)b与像素电极之间的间隙(Spacer)c之和。当像素电极的间距a为10um时，像素电极的宽度b为4um，像素电极之间的间隙c为6um；当间距为8um，像素电极的宽度b为2.6um，像素电极之间的间隙c为5.4um时，液晶面板的亮度特性较好。当像素电极的间距a为6um，像素电极的宽度b为2um，间隙c为4um时，液晶面板的亮度特性非常好，但由于现有的曝光机能够曝光的宽度在3.0-5.0um之间，因此工艺上要实现像素电极的宽度b小于3um较难，随着像素电极宽度的变化液晶面板容易产生斑或波纹(Mura)等不良，降低液晶面板的显示品质。

如图2所示，示出了液晶面板的透过率与像素电极的宽度b之间的关系，随着间距a＝b+c逐渐变小，液晶面板的亮度(即透过率)会增加；虽然亮度在增加，但维持亮度均一性的工艺范围在逐渐减小。

再如图3所示，示出了透过率的变化随像素电极宽度b的变化仿真数据。图中两条曲线分别代表像素电极的间距a为8um和像素电极的间距a为10um时的情形。从图中可以看出，当宽度b的增加百分比相同的情况下，像素电极的间距a为8um与像素电极的间距a为10um的液晶面板相比，透过率随间距变化量的变化较大，容易产生斑或波纹(Mura)等现象。

结合图2和图3中两个曲线图可知，像素电极的间距a越小，液晶面板的亮度越好；在同样的像素电极的间距a的情况下，像素电极的宽度b越小，液晶面板的亮度越好。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何形成尺寸更小的像素电极，以提高显示装置的透过率，改善斑或波纹现象。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明实施例首先提供了一阵列基板的制作方法，包括：

步骤S1、在基板上形成栅电极、栅线和公共电极；

步骤S2、在完成步骤S1的基板上依次形成栅绝缘层和有源层；

步骤S3、在完成步骤S2的基板上形成源漏电极层；

步骤S4、在完成步骤S3的基板上形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；

步骤S5、在完成步骤S4的基板上形成像素电极，所述像素电极通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接；其中，所述形成像素电极的过程包括：初次刻蚀工艺、灰化工艺和二次刻蚀工艺。

在进一步的技术方案中，所述步骤S5具体包括：

步骤S51、在所述钝化层上依次沉积透明导电膜和光刻胶；

步骤S52、对所述光刻胶进行曝光和显影；

步骤S53、对步骤S52之后的透明导电膜进行第一次刻蚀；

步骤S54、对步骤S53之后的光刻胶进行灰化处理；