[发明专利]防止晶圆表面形成固体颗粒的方法

权利要求书

1.一种防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，包括：

在采用二氯硅烷作反应物形成氧化硅层或氮化硅层的薄膜后，在反应腔体内通入第一气体，除去所述反应腔体内残留的二氯硅烷；

向所述反应腔体通入第二气体，除去反应腔体内表面沉积的薄膜。

2.如权利要求1所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述第一气体为NH₃或N₂O。

3.如权利要求2所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，当所述形成的薄膜为氮化硅层时，所述第一气体为NH₃。

4.如权利要求2所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，当所述形成的薄膜为氧化硅层时，所述第一气体为N₂O。

5.如权利要求2所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述除去反应腔体内残留的二氯硅烷的工艺参数为：反应腔体的反应温度的范围为750℃～780℃，通入的第一气体流量的范围为50sccm～200sccm，反应腔体内的气压的范围为250mtorr～400mtorr，反应时间范围为5min～10min。

6.如权利要求2所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述反应腔体内残留的二氯硅烷与N₂O或NH₃进行反应生成氧化硅或氮化硅，使得残留的二氯硅烷被完全除去，且利用真空泵对所述反应腔体进行抽气，使得所述氧化硅和氮化硅未沉积到晶圆表面即被抽出反应腔体，不影响沉积薄膜的质量。

7.如权利要求1所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述除去反应腔体内残留的二氯硅烷的工艺在取出已形成有氮化硅层或氧化硅层的晶圆、装入未形成有氮化硅层或氧化硅层的晶圆这两个步骤之前或之后进行。

8.如权利要求1所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述除去反应腔体内残留的二氯硅烷的工艺在取出已形成有氮化硅层或氧化硅层的晶圆、装入未形成有氮化硅层或氧化硅层的晶圆这两个步骤之前和之后都进行。

9.如权利要求1所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述通入第二气体时反应腔体内的温度低于沉积薄膜工艺时反应腔体内的温度。

10.如权利要求9所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述通入第二气体时反应腔体内的温度范围为300℃～450℃。

11.如权利要求10所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述第二气体为氮气。

12.如权利要求11所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述通入氮气时的工艺参数具体为：所述氮气的气流量的范围为5slm～15slm，反应腔体内的气压范围为5mtorr～10torr，通入氮气的时间范围为10min～20min。

13.如权利要求1所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述除去反应腔体内表面沉积的薄膜的具体方法为：利用所述第二气体冲刷反应腔体内表面，使得位于反应腔体内表面沉积的薄膜被冲刷走，利用真空泵排出反应腔体。

14.如权利要求1所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，所述通入第二气体的工艺在取出已形成有氮化硅层或氧化硅层的晶圆、装入未形成有氮化硅层或氧化硅层的晶圆之间进行。

15.如权利要求1所述的防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，在除去反应腔体内残留的二氯硅烷和反应腔体内表面沉积的薄膜后，进行下一次形成氧化硅层或氮化硅层的沉积工艺。