[发明专利]检测光刻胶缺陷的方法有效
| 申请号： | 201110379496.4 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102496586A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 胡林 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 光刻 缺陷 方法 | ||
1.一种检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，包括：
提供半导体晶圆；
在半导体晶圆上涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行前测，统计缺陷数量，得到前值；
按照参照时间和参照温度参数烘烤所述涂覆好光刻胶的半导体晶圆；
对所述光刻胶进行后测，统计缺陷数量，得到后值；
比较所述前值和后值之差，判断所述光刻胶是否合格。
2.如权利要求1所述的检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，所述参照时间和参照温度参数由参数确定实验确定。
3.如权利要求2所述的检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，所述参数确定实验包括：
在相同时间下，设定不同温度参数，测量其前值和后值；
比较所述前值和后值，选定所述前值和后值差别最大的温度参数作为参照温度；
在参照温度下，按不同时间参数，测量其前值和后值；
比较所述前值和后值，选定所述差别最大的时间参数作为参照时间。
4.如权利要求1所述的检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，所述前测和所述后测所用检测仪为美国科天(KLA-Tencor)公司的Surfscan SP1，检测方式为投射激光到晶圆表面，收集晶圆表面缺陷的散射光，通过分析散射光来确定缺陷的数量和大小。
5.如权利要求1所述的检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，所述半导体晶圆为裸硅片。
6.如权利要求1所述的检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，所述烘烤为在真空热板上加热、红外线加热、微波加热和对流加热中的一种。
7.如权利要求1所述的检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，所述判断所述光刻胶是否合格的标准由具体生产标准确定。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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