[发明专利]一种复合式磁控溅射阴极有效

专利信息
申请号: 201110379503.0 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102420091A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 邱清泉;丁发柱;戴少涛;张志丰;古宏伟 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 复合 磁控溅射 阴极
【权利要求书】:

1.一种复合式磁控溅射阴极,其特征在于:所述的磁控溅射阴极由平面靶材(1)、水冷背板(2)、两个外永磁体(3、4)、两个内永磁体(5、6)、两个外电磁线圈(7、8)、两个内电磁线圈(9、10)、两对外磁轭(11、12)、两对内磁轭(13、14)、底磁轭(15)和框架(16)构成;水冷背板(2)紧密安装在靶材(1)的下方;外永磁体(3、4)、内永磁体(5、6)安装在水冷背板(2)下方;第一外磁轭(11)安装在第一外永磁体(3)的下方,第二外磁轭(12)安装于第二外永磁体(4)的下方,第一内磁轭(13)安装于第一内永磁体(5)的下方,第二内磁轭(14)安装于第二内永磁体(6)的下方;底磁轭(15)位于外磁轭和内磁轭下方;所述的外永磁体、内永磁体、外电磁线圈、内电磁线圈、外磁轭、内磁轭和底磁轭安装在框架(16)中;所述的平面靶材(1)通过电源线连接到阴极电源;所述的两个内电磁线圈(9、10)安装在由外磁轭(11、12)、内磁轭(13、14)和底磁轭(15)包围的空间中偏内的位置,外电磁线圈(7、8)安装在由外磁轭(11、12)、内磁轭(13、14)和底磁轭(5)包围的空间中偏外的位置;外永磁体(3、4)和内永磁体(5、6)产生磁控溅射阴极的主磁场,外电磁线圈(7、8)和内电磁线圈(9、10)产生磁控溅射阴极的辅助磁场。

2.如权利要求1所述的复合式磁控溅射阴极,其特征在于:所述的水冷背板(2)为非导磁材料制作、水冷背板(2)内盛有冷却水。

3.如权利要求1所述的复合式磁控溅射阴极,其特征在于:所述的第一外永磁体(3)和第二外永磁体(4)以相同的极性安装,第一内永磁体(5)和第二内永磁体(6)以相同的极性安装,外永磁体和内永磁体的安装极性相反。

4.如权利要求1所述的复合式磁控溅射阴极,其特征在于:外电磁线圈(7、8)为一闭合线圈,内电磁线圈(9、10)为一闭合线圈,外电磁线圈和内电磁线圈通过引线分别连接到电磁线圈供电电源;

5.如权利要求1所述的复合式磁控溅射阴极,其特征在于:所述的平面靶材(1)为金属或合金或陶瓷靶材;所述的外磁轭(11、12)、内磁轭(13、14)、以及底磁轭(15)采用软磁材料制作。

6.如权利要求4所述的复合式磁控溅射阴极,其特征在于:所述的外电磁线圈为跑道形或圆形结构。

7.如权利要求4所述的复合式磁控溅射阴极,其特征在于:所述的供电电源为直流电源或脉冲直流电源。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110379503.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top