[发明专利]氮化钛薄膜溅射方法以及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201110379532.7 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102394218A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 韩晓刚;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 溅射 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化钛薄膜溅射方法，其特征在于包括：
在充氩气和氮气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时使氩原子电离成氩离子；
利用氮气将钛靶材表面氮化；
使氩离子在电场力的作用下，加速轰击钛靶材的表面，其中由于钛靶材表面被氮气氮化成氮化钛，因此，溅射下来的原子为氮化钛原子；
溅射下来的氮化钛原子在电磁场的作用下落在晶圆上，形成氮化钛薄膜。
2.根据权利要求1所述的氮化钛薄膜溅射方法，其特征在于，所述氮化钛薄膜溅射的工艺条件为：4-8kw的溅射功率，60sccm-80sccm的氩气流量，9mt-34mt的压力。
3.一种半导体器件制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1或2所述的氮化钛薄膜溅射方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
