[发明专利]用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统

权利要求书

1.一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统，其特征在于，包括：

气化容器，其用于盛放所述化学溶液并将所盛放的化学溶液的溶质气化；

加液容器，其用于盛放所述气化容器所需补充的化学溶液；以及

接入所述气化容器的第一管路、第二管路、第三管路、第四管路和第五管路；

其中，所述加排液系统可操作地工作于清洗状态、废液排除状态或加液状态；

工作于清洗状态时，所述第一管路用于将第一气体导入至所盛放的化学溶液中以气化该化学溶液中的溶质，所述第二管路用于排出包含该溶质的气体以清洗所述半导体薄膜沉积设备；

工作于废液排除状态时，所述第一管路用于导入第一气体以增大所述气化容器的内部压力进而将所述气化容器中的废液经由所述第三管路中排出；

工作于加液状态时，所述第四管路用于抽出所述气化容器中的气体以减小所述气化容器的内部压力进而将所述加液容器中的化学溶液经由所述第五管路流入所述气化容器中。

2.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述第一管路上设置第一阀以控制所述第一气体是否导入所述气化容器。

3.如权利要求2所述的加排液系统，其特征在于，在所述第一管路上、在所述第一阀的上游设置调压阀和压力表。

4.如权利要求2所述的加排液系统，其特征在于，所述第二管路上设置第二阀以控制所述包含该溶质的气体是否通入所述半导体薄膜沉积设备。

5.如权利要求4所述的加排液系统，其特征在于，在所述第二管路终端、在所述第二阀的下游设置第六阀和第七阀。

6.如权利要求2所述的加排液系统，其特征在于，所述第一阀为两位三通的气动阀。

7.如权利要求4所述的加排液系统，其特征在于，所述加排液系统可操作地工作于吹扫状态，其中，操作所述第二阀以停止导入所述包含该溶质的气体，操作所述第一阀以接通所述第一管路和第二管路，进而将所述第一气体直接导入所述半导体薄膜沉积设备。

8.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述加排液系统还包括设置于所述第二管路上的过滤器，其用于过滤所述第二管路中的气体的水汽。

9.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述气化容器上设置液满传感器和液空传感器。

10.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述第三管路上设置第三阀以控制是否排出所述废液。

11.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述第四管路上设置第四阀以控制是否排出所述气化容器内的气体。

12.如权利要求1或11所述的加排液系统，其特征在于，所述第四管路上设置真空发生器，所述真空发生器通过电磁阀控制。

13.如权利要求1或11所述的加排液系统，其特征在于，所述第五管路上设置第五阀以控制所述加液容器中的化学溶液的是否流入所述气化容器。

14.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述化学溶液为氢氟酸溶液，所述溶质为HF；或所述化学溶液为盐酸溶液，所述溶质HCl。

15.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述半导体薄膜沉积设备为常压化学气相淀积设备。

16.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，工作于所述清洗状态时，控制所述第一管路和第二管路导通，同时控制所述第三管路、第四管路和第五管路关闭；

工作于所述废液排除状态时，控制所述第一管路和第三管路导通，同时控制所述第二管路、第四管路和第五管路关闭；

工作于所述加液状态时，控制所述第四管路和第五管路导通，同时控制所述第一管路、第二管路和第三管路关闭。

17.如权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述第三管路和所述第五管路通过共用一段管路间接地接入所述气化容器。