[发明专利]晶圆控片及其形成方法有效
| 申请号： | 201110379655.0 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102437020A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈蕾;鲍晔;胡林;周孟兴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆控片 及其 形成 方法 | ||
1.一种晶圆控片的形成方法，其特征在于，包括：
提供晶圆；
图形化所述晶圆，在所述晶圆形成图形，所述图形底部暴露出晶圆；
形成透明保护层，覆盖图形化后的晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆控片的形成方法，其特征在于，图形化所述晶圆之前，还包括：在所述晶圆上形成氮化硅层，在图形化晶圆时也图形化所述氮化硅层。
3.如权利要求1所述的晶圆控片的形成方法，其特征在于，图形化所述晶圆之前，还包括：在所述晶圆上形成氧化硅层，在所述氧化硅层上形成氮化硅层，在图形化晶圆时也图形化所述氧化硅层、氮化硅层。
4.如权利要求1所述的晶圆控片的形成方法，其特征在于，所述透明保护层的材料为氧化硅。
5.如权利要求1所述的晶圆控片的形成方法，其特征在于，图形化所述晶圆的方法为：
在所述晶圆上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成图形化的光刻胶层；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述晶圆，在所述晶圆形成图形；
去除所述图形化的光刻胶层。
6.一种晶圆控片，其特征在于，包括：
图形化晶圆；
覆盖所述图形化晶圆的透明保护层。
7.如权利要求6所述的晶圆控片，其特征在于，在所述图形化晶圆和透明保护层之间还包括图形化氮化硅层，所述图形化氮化硅层的图形与所述图形化晶圆的图形相同。
8.如权利要求6所述的晶圆控片，其特征在于，在所述图形化晶圆和透明保护层之间还包括位于所述图形化晶圆上的图形化氧化硅层、位于所述图形化氧化硅层上的图形化氮化硅层，所述图形化氮化硅层的图形、图形化氧化硅层的图形与所述图形化晶圆的图形相同。
9.如权利要求6所述的晶圆控片，其特征在于，所述透明保护层的材料为氧化硅。
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