[发明专利]用于曝光工艺的对准标记的制作方法有效
| 申请号： | 201110379678.1 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102394234A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 邓咏桢;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 曝光 工艺 对准 标记 制作方法 | ||
1.一种对准标记的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底中形成第一沟槽；
在所述形成有第一沟槽的半导体基底上淀积第一介质层，所述第一介质层填满所述第一沟槽；
进行化学机械研磨，且过研磨直至所述第一沟槽内的所述第一介质层表面形成凹陷；
形成层间介质层；
在所述层间介质层中形成第二沟槽，所述第二沟槽完全露出所述第一沟槽内的第一介质层，且所述第二沟槽的开口大于所述第一沟槽的开口；
形成流淌层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度为5～30μm、深度大于0.8μm。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材料硬度小于半导体基底材料。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体基底表面形成有外延层，所述第一沟槽形成在所述外延层中。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述外延层的材料为单晶硅，采用气相外延方式形成，所述第一介质层的材料为多晶硅，形成方式为低压化学气相淀积。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述层间介质层为介电常数为3.9到4.0的SiO2材料。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述流淌层的方式为420℃温度下、在形成有第二沟槽的层间介质层上溅射Al，形成Al金属层。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述Al金属层的Al中有含量小于5％的铜。
9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体基底为硅衬底。
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