[发明专利]一种硅通孔工艺

权利要求书

1.一种硅通孔工艺，其特征在于，包括：

提供包含正面和背面的硅片，在所述硅片上形成深沟槽；

将所述硅片的正面与第一硅片载体连接，将所述硅片的背面减薄至所述深沟槽的底部露出，形成硅通孔；

对所述硅片进行清洗；

将所述硅片的背面与第二硅片载体连接，去除所述第一硅片载体；

在所述硅片的正面上依次形成绝缘层、阻挡层以及铜种子层；

通过电镀铜的方法填充所述硅通孔；

在电镀的铜上连接第三硅片载体，去除所述第二硅片载体，在所述硅片的背面电镀铜；

去除所述第三硅片载体。

2.根据权利要求1所述的硅通孔工艺，其特征在于，对所述硅片进行清洗时使用的清洗液为氢氧化铵和双氧水的混合物，清洗的时间为20s～120s。

3.根据权利要求1所述的硅通孔工艺，其特征在于，所述深沟槽的直径为1微米～50微米，所述深沟槽的深度为10微米～500微米。

4.根据权利要求1所述的硅通孔工艺，其特征在于，所述绝缘层的厚度为5A～500A。

5.根据权利要求1所述的硅通孔工艺，其特征在于，所述阻挡层的厚度为5A～500A。

6.根据权利要求1所述的硅通孔工艺，其特征在于，所述铜种子层的厚度为500A～3000A。