[发明专利]一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法

权利要求书

1.一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述方法包括：

向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末，制备二氧化硅沉积溶液；

将扩散后的黑硅硅片浸没入所述二氧化硅沉积溶液中，在所述黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。

2.如权利要求1所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末，制备二氧化硅沉积溶液的步骤具体包括：

向六氟硅酸溶液加入过量二氧化硅粉末，搅拌3-6小时，使二氧化硅饱和，形成二氧化硅饱和的六氟硅酸溶液；

过滤残余的二氧化硅粉末，向所述二氧化硅饱和的六氟硅酸溶液中加入去离子水，搅拌半小时，使二氧化硅过饱和，再加入高纯度硼酸粉末，搅拌20分钟，静置溶液5分钟，形成二氧化硅沉积溶液。

3.如权利要求2所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述六氟硅酸溶液的浓度为30-35wt％、温度为40℃，所述二氧化硅沉积溶液中的硼酸浓度为0-0.03mol/L，所述二氧化硅粉末和硼酸粉末的纯度均大于99.99％。

4.如权利要求1所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述将扩散后的黑硅硅片浸没入所述二氧化硅沉积溶液的步骤之前还包括将黑硅硅片进行预清洗处理。

5.如权利要求4所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述将黑硅硅片进行预清洗处理的步骤包括：

将扩散后的黑硅硅片浸入氢氟酸溶液中，浸泡20-30分钟；

将经过氢氟酸溶液浸泡后的黑硅硅片浸入去离子水中，浸泡1小时。

6.如权利要求5所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中的体积比HF∶H₂O＝1∶10，所述氢氟酸溶液的浓度为48％，所述去离子水的浓度为18MΩ·cm。

7.如权利要求1所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述二氧化硅沉积溶液的温度为30-50℃，沉积时间为0.5-2小时。

8.如权利要求7所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度为10-40nm。

9.如权利要求1所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述在所述黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜的步骤之后还包括将生成二氧化硅薄膜的黑硅硅片进行退火处理。

10.如权利要求9所述的黑硅太阳能电池表面的钝化方法，其特征在于，所述退火处理的工艺条件为：退火温度为100-400℃，退火时间为半小时。