[发明专利]耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201110380151.0 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102490426A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 董占林;张俊丽;任小龙 | 申请(专利权)人: | 桂林电器科学研究院 |
主分类号: | B32B27/28 | 分类号: | B32B27/28;B32B27/18;C08G73/10 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 唐智芳 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电晕 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.耐电晕聚酰亚胺薄膜,其特征在于:所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜(1)为三层结构,具体包括一聚酰亚胺基础层(1-1),以及分别位于所述聚酰亚胺基础层(1-1)上表面和下表面上的两层耐电晕聚酰亚胺层(1-2);其中:
所述构成聚酰亚胺基础层(1-1)的组分主要有均苯四甲酸二酐、4,4’-二氨基二苯基醚和二甲基乙酰胺;
所述构成耐电晕聚酰亚胺层(1-2)的组分主要有均苯四甲酸二酐、4,4’-二氨基二苯基醚、二甲基乙酰胺和耐电晕填料;在每一层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)中,基于该层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)的干重含有耐电晕填料5~50%。
2.根据权利要求1所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜,其特征在于:所述每一层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)中,基于该层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)的干重含有耐电晕填料15~30%。
3.根据权利要求2所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜,其特征在于:所述每一层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)中,基于该层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)的干重含有耐电晕填料20~30%。
4.根据权利要求1所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜,其特征在于:所述耐电晕填料为选自二氧化硅、氧化铝、二氧化钛和氧化锆中的一种或任意两种以上的组合;其粒径为5~500nm。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜,其特征在于:当耐电晕聚酰亚胺薄膜(1)的总厚度为12.5~125μm时,所述每一层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)的厚度为2~15μm,且两层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)的总厚度不超过薄膜总厚度的40%。
6.权利要求1~5中任一项所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)制备聚酰亚胺基础层(1-1)的聚酰胺酸树脂溶液;
2)制备各层耐电晕聚酰亚胺层(1-2)的含有耐电晕填料的聚酰胺酸树脂溶液;
3)挤出、流涎:将步骤1)和步骤2)所得的聚酰胺酸树脂溶液根据需要分别输送至多层共挤模头的相邻三个流道进行挤出,然后经流涎机流涎以制得薄膜;
4)亚胺化:将流涎所得的薄膜进行亚胺化处理,即得到本发明所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜(1)。
7.根据权利要求6所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜制备方法,其特征在于:步骤1)中,按0.9~1.1∶1的摩尔比称取均苯四甲酸二酐和4,4’-二氨基二苯基醚,称取相当于均苯四甲酸二酐和4,4’-二氨基二苯基醚总重量3~9倍的二甲基乙酰胺,先取4,4’-二氨基二苯基醚溶于二甲基乙酰胺中,然后再加入均苯四甲酸二酐反应即得所需的聚酰胺酸树脂溶液。
8.根据权利要求6所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜制备方法,其特征在于:步骤2)中,是在制备聚酰胺酸树脂溶液的过程中加入耐电晕填料。
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