[发明专利]一种钛酸铋铁电薄膜制备方法无效
申请号: | 201110380734.3 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102515748A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 王趱;姜伟;李三喜;刘力梅;张文政 | 申请(专利权)人: | 沈阳工业大学 |
主分类号: | C04B35/475 | 分类号: | C04B35/475;C04B35/622 |
代理公司: | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人: | 宋铁军 |
地址: | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钛酸铋铁电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种钛酸铋铁电薄膜制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
步骤1.依照化学式Bi4Ti3O12,按化学计量比称取五水硝酸铋和钛酸四丁酯,其比例为每称取10~12g五水硝酸铋,应称取5~6ml钛酸四丁酯;
步骤2.将乙二醇甲醚缓慢加入到五水硝酸铋中,室温下搅拌20~40min,得无色透明溶液A,其比例是每10~12g五水硝酸铋中加入14~16ml乙二醇甲醚;
步骤3.将钛酸四丁酯缓慢加入到乙酰丙酮中,室温下搅拌20~40min,得透明溶液B,其比例是每5~6ml钛酸四丁酯加入到20~25ml乙酰丙酮中;
步骤4.将溶液B缓慢滴加到溶液A中,室温下搅拌50~70min,静置1~2天,过滤,得均匀透明的钛酸铋前驱液;
步骤5.将钛酸铋前驱液放到Co60放射源中接受辐照;
步骤6.将Pt/Ti/SiO2/Si基片依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中,分别超声清洗8~12min,然后进行干燥;
步骤7.将接受Co60辐照的钛酸铋前驱液通过匀胶机旋涂到经步骤6处理过的Pt/Ti/SiO2/Si基片上,然后将基片置于90~120℃条件下干燥3~10min,得到薄膜;
步骤8.将薄膜置于300~370℃的环境中烘干15~25min,使有机溶剂挥发,有机物分解,得到厚度为40~55nm的单层无定形的钛酸铋薄膜;
步骤9.重复步骤7-8的涂膜和烘干过程6~8次,得到所需厚度的钛酸铋薄膜;
步骤10.将钛酸铋薄膜放在石英管式炉中,流动的氧气气氛下,从室温升至设定的退火温度650~750℃,保温20~25min,随炉冷却,得到最终膜厚为350~450nm的随机取向的层状钙钛矿结构钛酸铋铁电薄膜。
2.根据权利要求1所述一种钛酸铋铁电薄膜制备方法,其特征在于:步骤7中将钛酸铋前驱液通过匀胶机旋涂到处理过的Pt/Ti/SiO2/Si基片上时,先以900~1500r/min旋涂10s,再以3500~4500r/min旋涂20~30s。
3.根据权利要求1所述一种钛酸铋铁电薄膜制备方法,其特征在于:步骤10中,升温速率为10~20℃/min。
4.根据权利要求1所述一种钛酸铋铁电薄膜制备方法,其特征在于:步骤5中辐照的吸收计量为10~40kGy。
5.根据权利要求1所述一种钛酸铋铁电薄膜制备方法,其特征在于:步骤5中辐照的吸收计量为40~60kGy。
6.根据权利要求1所述一种钛酸铋铁电薄膜制备方法,其特征在于:步骤5中辐照的吸收计量为60~100kGy。
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