[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110380795.X | 申请日： | 2010-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102361032A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 萩原健一郎;井上郁子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/48;H01L23/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体基板，具有第一主面及与该第一主面对置的第二主面，并形成有包含多个电路块的集成电路；以及
保护环布线，贯通上述第一及第二主面的两面而形成于上述半导体基板，并包围上述集成电路的任意的电路块。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述任意的电路块是模拟电路块。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述任意的电路块是I/O电路块。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在上述保护环布线上施加有任意的电位，上述电位包括接地电位。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述保护环布线处于电浮置状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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