[发明专利]可钢化三银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺无效

专利信息
申请号: 201110381668.1 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102490408A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 林嘉宏 申请(专利权)人: 林嘉宏
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B17/06;B32B15/04;C23C14/34
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215321 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 可钢化三银低 辐射 镀膜 玻璃 及其 生产工艺
【权利要求书】:

1.一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃本体和镀膜,其特征在于,以所述玻璃基片为基板,所述镀膜由内向外的膜层结构为:

第一电介质组合层、第一阻挡保护层、第一电介质层、第一银层、第二阻挡保护层、第一间隔电介质组合层、第三阻挡保护层、第二电介质层、第二银层、第四阻挡保护层、第二间隔电介质组合层、第五阻挡保护层、第三电介质层、第三银层、第六阻挡保护层、第二电介质组合层。

2.根据权利要求1所述的一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一电介质组合层、第二电介质组合层为硅基化合物材料。

3.根据权利要求2所述的一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述硅基化合物材料为Si3N4、SiO2或SiOxNy。

4.根据权利要求1所述的一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层为金属锌化合物材料。

5.根据权利要求4所述的一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,

所述金属锌化合物材料为ZnO、AZO中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一间隔电介质组合层、第二间隔电介质组合层为SSTOx、CrNx、CdO、MnO2、InSbO、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZO、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5、Ta2O5、In2O3、MoO3材料中的一种或几种构成。

7.根据权利要求1所述的一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六阻挡保护层为金属、金属氧化物或金属氮化物材料。

8.根据权利要求7所述的一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,

所述第一、第二、第三、第四、第五、第六阻挡保护层的材料为Ti、NiCr、Ni、Cr、Nb、Zr、NiCrOx、NiCrNx、CrNx中的一种。

9.一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃的生产工艺,采用真空磁控溅射镀膜,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、将玻璃基片清洗干燥后,置于真空溅射区,进行于真空过渡;

步骤二、以所述玻璃基片为基板,依次沉积第一电介质组合层、第一阻挡保护层、第一电介质层、第一银层、第二阻挡保护层、第二间隔层电介质组合层、第三阻挡保护层、第二电介质层、第二银层、第四阻挡保护层、第二间隔电介质组合层、第五阻挡保护层、第三层电介质层、第三银层、第六阻挡保护层、第二电介质组合层,形成产品。

10.根据权利要求9所述的一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于:

所述第一、第二、第三电介质层、第一、第二电介质组合层、第一、第二间隔电介质组合层均采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射的方式在氩氧、氩氮或氩氧氮氛围中进行沉积;所述第一、第二银层、第一至第六阻挡保护层均采用平面阴极、直流溅射的方式沉积在氩氧、氩氮或纯氩氛围中沉积。

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