[发明专利]电压测量装置

权利要求书

1.一种用于通过使用电压测量电路(5)来检测电压测量对象的多个电压测量点(2)的电压测量装置，所述装置包括：

开关电路(7，25，28，41，44)，耦合在所述多个电压测量点(2)中的每一个和所述电压测量电路(5)之间，所述开关电路通过在所述开关电路的电流承载部件(10，29，30，43，46)中流动的电流来接通和关断；

电源侧恒定电流电路(11，31，34)，耦合至电源侧；

接地侧恒定电流电路(12，32，33)，耦合至接地侧以汲取与由所述电源侧恒定电流电路(11，31，34)提供的恒定电流类似的恒定电流；

控制电路(17)，控制所述电源侧恒定电流电路(11，31，34)和所述接地侧恒定电流电路(12，32，33)的操作，其中

所述开关电路(7，25，28，41，44)的所述电流承载部件(10，29，30，43，46)耦合至允许所述恒定电流在所述电源侧恒定电流电路(11，31，34)和所述接地侧恒定电流电路(12，32，33)之间流动的开路，并且

所述电流承载部件通过所述控制电路(17)来接通和关断所述开关电路(7，25，28，41，44)。

2.如权利要求1所述的电压测量装置，其中

所述开关电路(7，25，28)包括两个相同沟道类型MOSFET(8，9，26，27)的串联连接，所述两个相同沟道类型MOSFET(8，9，26，27)具有相对设置又彼此耦合的寄生二极管(8D，9D，26D，27D，并且

所述开关电路的所述电流承载部件(10，29，30)是耦合在所述MOSFET的栅极和源极之间的电阻器元件。

3.如权利要求2所述的电压测量装置，其中

所述两个MOSFET是P沟道MOSFET(8，9)。

4.如权利要求2所述的电压测量装置，其中

所述两个MOSFET是N沟道MOSFET(26，27)。

5.如权利要求2到4中的任一项所述的电压测量装置，其中

所述两个MOSFET共源极连接。

6.如权利要求2到4中的任一项所述的电压测量装置，其中

所述两个MOSFET共漏极连接。

7.如权利要求1到4中的任一项所述的电压测量装置，其中

所述电压测量对象是组装电池(47)的多个干电池的端子电压。

8.如权利要求1到4中的任一项所述的电压测量装置，其中

由一个电压测量电路(5)来执行多个电压测量点(2)的所述电压测量。

9.如权利要求1到4中的任一项所述的电压测量装置，还包括：

高电势开关电路(41)，包括其源极耦合至所述电压测量点(2)的P沟道MOSFET(42)以及耦合在所述电压测量点(2)和所述P沟道MOSFET(42)的栅极之间的电阻器元件(43)，并且

所述高电势开关电路(41)耦合在所述电压测量电路(5)和其电势在所述多个电压测量点中最高并且等于或大于电源电势的电压测量点(2)之间，

所述接地侧恒定电流电路(33)包括耦合至所述P沟道MOSFET(42)的栅极的恒定电流路径，并且

所述控制电路(17)操作所述接地侧恒定电流电路(33)，其中

所述控制电路(17)用于接通和关断所述高电势开关电路(41)。

10.如权利要求1到4中的任一项所述的电压测量装置，还包括：

低电势开关电路(44)，包括其源极耦合至所述电压测量点(2)的N沟道MOSFET(45)以及耦合在所述电压测量点(2)与所述N沟道MOSFET(45)的栅极之间的电阻器元件(46)，并且

所述低电势开关电路(44)耦合在所述电压测量电路(5)和其电势在所述多个电压测量点中最低并且小于电源电势的电压测量点(2)之间，

所述电源侧恒定电流电路(11)包括耦合至所述N沟道MOSFET(45)的栅极的恒定电流路径，并且

所述控制电路(17)控制所述电源侧恒定电流电路(11)的操作，其中

所述控制电路(17)用于接通和关断所述低电势开关电路(44)。