[发明专利]一种蓝宝石单晶生长方法

权利要求书

1.一种蓝宝石单晶生长方法，采用99.999wt%的高纯氧化铝，放置在铱坩埚内，安装氧化铝、氧化锆热场及保温材料，安装好热电偶，关好炉门并装好摄像头，启动监视器及记录仪，在自动控制程序中设置加热程序，升温速率为100℃/h，充入高纯氩气，流量为1L/min～10L/min；升温对氧化铝原料进行熔化，借助于红外测温仪，将液面温度控制在2050℃～2100℃之间，液面对流线清晰均匀，并达到稳定状态；将籽晶按照20mm/h～50mm/h的速度缓慢下降，同时启动籽晶旋转，速度为2rpm～10rpm，将籽晶按照1mm/min～10mm/min的速度碰触液面；以0.5mm/h～3mm/h的速度生长晶体的肩部；以1mm/h～6mm/h的速度生长晶体的等径部；以10mm/h～20mm/h的速度生长晶体的尾部；以50mm/min～100mm/min的速度将晶体切离液面；以100℃/h的速度将温度降至室温，取出晶体，用透光仪检测晶体的光透过率；将晶体加工成片，并使用KOH腐蚀，用显微镜、扫描电镜测试晶体的位错密度和面缺陷；其特征在于，自原料熔化始至晶体生长完成收尾阶段启动坩埚旋转。

2.根据权利要求1所述的蓝宝石单晶生长方法，其特征在于，所述的自原料熔化始至晶体生长完成收尾阶段启动坩埚旋转的转速为1rpm～6rpm。

3.根据权利要求2所述的蓝宝石单晶生长方法，其特征在于，所述的自原料熔化始至晶体生长完成收尾阶段启动坩埚旋转的转速为2rpm～4rpm。

4.根据权利要求1、2或3所述的蓝宝石单晶生长方法，其特征在于，自晶体生长肩部始至晶体生长完成收尾阶段启动加热线圈下降。

5.根据权利要求4所述的蓝宝石单晶生长方法，其特征在于，所述的自晶体生长肩部始至晶体生长完成收尾阶段启动加热线圈下降，下降速度与液面下降速度一致。