[发明专利]图像传感器的制造方法有效
申请号: | 201110382619.X | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102437169A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 赵立新;霍介光 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器的制作方法,包括下述步骤:
a.提供芯片衬底,所述芯片衬底的第一面包括至少一个具有多个感光单元的感光单元阵列,并且所述第一面上形成有介质层;
b.部分刻蚀所述介质层,以形成位于所述感光单元阵列的多个感光单元的至少部分边界上的多个第一沟槽;
c.采用第一热塑材料将所述芯片衬底的第一面粘合在支持衬底上;
d.对所述芯片衬底的第二面进行背面磨削以将所述芯片衬底减薄至中间厚度;
e.对所述支持衬底加热至第一预定温度以软化所述第一热塑材料,并将所述芯片衬底减薄至预定厚度;
f.对所述支持衬底加热至第二预定温度以软化所述第一热塑材料,并从所述芯片衬底的第二面部分刻蚀所述芯片衬底以形成多个与所述第一沟槽连通的第二沟槽,从而使得所述感光单元阵列中的至少部分感光单元相互分离。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述步骤e中,对所述支持衬底加热至第一预定温度以使得所述第一热塑材料的硬度降低至少50%。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述步骤f中,对所述支持衬底加热至第二预定温度以使得所述第一热塑材料的硬度降低至少50%。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述步骤e中,所述减薄包括化学机械抛光、干法刻蚀或湿法刻蚀。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述步骤b包括:在所述感光单元阵列中的每个感光单元的边界上形成所述第一沟槽。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一沟槽的宽度不超过所述感光单元节距的30%。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一热塑材料包括石蜡或热熔胶。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述预定厚度为1至4微米。
9.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第二沟槽的宽度不超过所述第一沟槽的宽度。
10.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述第二沟槽的宽度不超过0.3微米。
11.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述中间厚度不小于5微米。
12.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:
切割所述芯片衬底以分离所述至少一个感光单元阵列。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述切割步骤包括:采用激光切割或机械切割方式切割所述芯片衬底。
14.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,还包括:
g.提供转移装置,所述转移装置具有转移面以及管道,所述管道一端的开口位于所述转移面中部;
h.采用第二热塑材料将所述感光单元阵列粘合在所述转移面上;
i.加热所述支持衬底以使得所述第一热塑材料的粘度低于所述第二热塑材料的粘度,相对移动所述支持衬底与所述转移装置以使得所述感光单元阵列从所述支持衬底分离。
15.根据权利要求14所述的制作方法,其特征在于,还包括:
j.加热所述转移装置,并向所述管道中注入流体以在所述感光单元阵列的中部形成凸起;
k.将所述凸起的感光单元阵列贴合在具有预定形状的凹面的调节基座上,或者将所述凸起的感光单元阵列贴合在具有预定形状的凹面的调节基座以及具有预定形状的凸面的调节装置之间,以将所述凸起的感光单元阵列的形状调整为与所述预定形状一致;
l.提供具有所述预定形状的曲面的封装件,并将所述感光单元阵列粘附在所述曲面中。
16.根据权利要求14所述的制作方法,其特征在于,所述步骤i包括:沿所述支持衬底平面的方向移动所述转移装置。
17.根据权利要求14或15所述的制作方法,其特征在于,所述第二热塑材料包括石蜡或热熔剂。
18.根据权利要求15所述的制作方法,其特征在于,所述流体包括空气、氮气或所述第二热塑材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的