[发明专利]获取ZnSe/ZnS光学基元的方法有效
| 申请号： | 201110383143.1 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102477579A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 吴志新;宗杰;甘硕文;赵晓龙;林峰;张弢;加里宾.E.A;古谢夫.P.E;杰米坚科.A.A;杜纳耶夫.A.A;米罗诺夫.I.A | 申请（专利权）人： | 天津津航技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/46;H01L31/18 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 李烨 |
| 地址： | 300308*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 获取 znse zns 光学 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种获取ZnSe/ZnS光学基元的方法，包括：通过真空提纯的方式在硒化锌衬底上沉积硫化锌的步骤，其特征在于：包括如下步骤：在坩埚内对硫化锌粉体进行预煅烧，煅烧时间1.5～3h，温度要比接下来蒸发的温度高20～50℃；冷却后将表面抛光的硒化锌平板放入坩埚内，在硫化锌蒸汽温度为1000～1080℃的情况下，通过真空蒸汽的方式完成硫化锌保护层的沉积。
2.如权利要求1所述的一种获取ZnSe/ZnS光学基元的方法，其特征在于：通过真空蒸汽的方式完成硫化锌保护层的沉积的步骤中，沉积速度为0.02～0.1mm/h。
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