[发明专利]基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器及其制备方法

权利要求书

1. 基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器，包括衬底、位于衬底上的栅电极、位于栅电极上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极通过甲醛气体有机半导体探测层相连接，其特征在于：所述甲醛气体有机半导体探测层由苯并类及苯并类衍生物有机材料制成。

2. 根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器，其特征在于：所述甲醛气体有机半导体探测层由并三苯、并四苯、并五苯、6,13-二三异丙酯硅基乙炔并五苯、3,4-苯并芘、六苯并苯、6,13-五并苯醌中的至少一种构成。

3. 根据权利要求1～2任一项所述的基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器，其特征在于：所述甲醛气体有机半导体探测层的厚度为5-500 nm。

4. 根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器，其特征在于：所述衬底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金属箔制成。

5. 根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器，其特征在于：所述栅电极、源电极和漏电极由金属及其合金材料、金属氧化物或导电复合材料制成，源电极和漏电极的厚度为10-300 nm。

6. 根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器，其特征在于：所述栅极绝缘层的厚度为20-2000 nm。

7. 基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：

①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；

②在衬底表面制备栅电极；

③在栅电极上面制备栅极绝缘层并对绝缘层进行处理；

④在所述栅极绝缘层上制备源电极和漏电极；

⑤在源电极和漏电极之间制备甲醛气体有机半导体探测层。

8. 根据权利要求7所述的基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器的制备方法，其特征在于：所述栅电极、源电极、漏电极是通过真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷、打印或旋涂中的一种方法制备。

9. 根据权利要求7所述的基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器的制备方法，其特征在于：所述栅极绝缘层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂或者真空蒸镀中的一种方法制备。

10. 根据权利要求7所述的基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器的制备方法，其特征在于：所述甲醛气体有机半导体探测层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂、真空蒸镀、旋涂、滴膜、压印、印刷或气喷中的一种方法制备。