[发明专利]结合快复管的IGBT器件制造方法有效
| 申请号： | 201110383511.2 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137472A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结合 快复管 igbt 器件 制造 方法 | ||
1.一种结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
进行沟槽栅的曝光定义，成长掺杂N型多晶硅；
对多晶栅进行刻蚀，正面进行源和P阱的注入和推阱；
背面进行硅片减薄；
进行背面磷离子注入；
进行背面磷离子高温长时间推阱；
对背面进行挖沟槽；
对背面沟槽里成长高掺杂的N型多晶；
背面进行集电极B的注入；
背面进行集电极B的推阱；
进行集电极的蒸金。
2.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，进行沟槽栅的曝光定义，成长掺杂N型多晶硅，厚度大于500埃。
3.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，背面进行硅片减薄，减薄至50微米以上。
4.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，进行背面磷离子注入，剂量在5E14以上，能量在40KEV以上。
5.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，进行背面磷离子高温长时间推阱，温度在950度以上，时间在1小时以上形成场终止层；或者背面成长10微米以上的N型外延层，掺杂浓度也介于1E13-1E15之间。
6.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，对背面进行挖沟槽，沟槽的深度在从1000埃到5微米之间，沟槽的宽度在1000埃到2微米之间。
7.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，对背面沟槽里成长高掺杂的N型多晶，掺杂浓度在1E15-1E20之间。
8.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，背面进行集电极B的注入，剂量在5E14以上，能量在40KEV以上。
9.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，背面进行集电极B的推阱，温度在400度以上，时间在30分钟以上。
10.如权利要求1所述的结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，进行集电极的蒸金，金属的厚度在1微米以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
