[发明专利]一种光刻机之间的工艺匹配方法有效
| 申请号： | 201110384018.2 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102445858A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王剑;毛智彪;戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 之间 工艺 匹配 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻机之间的工艺匹配方法，其特征在于：其具有以下步骤：
1）在同一片掩模板上设计各种1D，2D图形；
2）第一光刻机利用所述掩模板曝光一片基准晶圆；
3）量测所设计的图形尺寸作为基准数据；
4）第二光刻机使用同一片掩模板曝光相同参数晶圆；
5）将第二光刻机量测数据与第一光刻机量测数据比较，得到数据吻合的参数；
6）两台光刻机得到的尺寸一致，建立了两台光刻机的匹配基准。
2.如权利要求1所述的一种光刻机之间的工艺匹配方法，其特征在于：所述步骤（1）中设计1D，2D图形的适用范围为90纳米技术节点以下光刻生产工艺。
3.如权利要求1所述的一种光刻机之间的工艺匹配方法，其特征在于：所述步骤（1）中设计1D，2D图形的图形结构包括密集线条，隔离线条，头对头线条，T字形线条，同样也适用于接触孔的工艺层。
4.如权利要求1所述的一种光刻机之间的工艺匹配方法，其特征在于：所述步骤（2）中利用所述掩模板曝光一片基准晶圆应用一系列曝光参数NA和sigma。
5.如权利要求1所述的一种光刻机之间的工艺匹配方法，其特征在于：所述步骤（3）中图形尺寸结构，其线宽尺寸为当层光刻工艺的特征尺寸。
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