[发明专利]大电流侦测装置及其侦测方法

权利要求书

1.一种大电流侦测装置，其特征在于，其连接一电流分流器，上述的电流分流器接收一电流信号，以转换为一电压降输出，上述的大电流侦测装置包括：

一第一晶体管，连接一电压源，并通过一第一电阻连接上述的电流分流器，且上述的电流分流器与上述的第一电阻连接上述的电压源；以及

一第二晶体管，通过一第二电阻连接上述的电压源，并连接上述的第一晶体管与上述的电流分流器，上述的第一晶体管与上述的第二晶体管通过上述的第一电阻接收上述的电压降，且上述的电压源依据上述的电压降产生通过上述的第一电阻与上述的第一晶体管的一第一电流，及通过上述的第二电阻与上述的第二晶体管的一第二电流，在上述的电流信号逐渐变大时，上述的电压降变大，且上述的第一电流变大，上述的第二电流变小，直到上述的第二晶体管与上述的电流分流器之间的第二电压等于上述的第一电阻与上述的第一晶体管之间的第一电压时，上述的第二晶体管输出一标志电压。

2.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第一晶体管为第一NPN双极性结型晶体管，其集电极与基极相连接，并连接上述的电压源，发射极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二NPN双极性结型晶体管，其集电极连接上述的第二电阻，发射极连接上述的电流分流器，基极连接上述的第一NPN双极性结型晶体管的上述的基极。

3.如权利要求2所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第二电压为上述的第二NPN双极性结型晶体管的发射极电压，上述的第一电压为上述的第一NPN双极性结型晶体管的发射极电压，上述的标志电压为上述的第二NPN双极性结型晶体管的集电极电压，亦为高电平电压，上述的电压源为正电压源。

4.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第一晶体管为第一PNP双极性结型晶体管，其集电极与基极相连接，并连接上述的电压源，发射极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二PNP双极性结型晶体管，其集电极连接上述的第二电阻，发射极连接上述的电流分流器，基极连接上述的第一PNP双极性结型晶体管的上述的基极。

5.如权利要求4所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第二电压为上述的第二PNP双极性结型晶体管的发射极电压，上述的第一电压为上述的第一PNP双极性结型晶体管的发射极电压，上述的标志电压为上述的第二PNP双极性结型晶体管的集电极电压，亦为低电平电压，上述的电压源为负电压源。

6.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第一晶体管为第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极与栅极相连接，并连接上述的电压源，源极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极连接上述的第二电阻，源极连接上述的电流分流器，栅极连接上述的第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的上述的栅极。

7.如权利要求6所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第二电压为上述的第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的第一电压为上述的第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的标志电压为上述的第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电压，亦为高电平电压，上述的电压源为正电压源。

8.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第一晶体管为第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极与栅极相连接，并连接上述的电压源，源极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极连接上述的第二电阻，源极连接上述的电流分流器，栅极连接上述的第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的上述的栅极。

9.如权利要求8所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第二电压为上述的第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的第一电压为上述的第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的标志电压为上述的第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电压，亦为低电平电压，上述的电压源为负电压源。

10.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的电流分流器依序串连一负载与一储电器，上述的储电器提供通过上述的负载的上述的电流信号。