[发明专利]一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件无效
申请号: | 201110384424.9 | 申请日: | 2011-11-27 |
公开(公告)号: | CN103137737A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 周伟;胡剑峰 | 申请(专利权)人: | 西安大昱光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/052 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 李子安 |
地址: | 710075 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微型 砷化镓 太阳能 发电 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能广泛发电技术领域,尤其是涉及一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件。
背景技术
随着太阳能广泛应用,太阳能光伏发电产业在世界范围内蓬勃发展,但是由于太阳能光伏组件光电转换效率低,导致太阳能光伏发电成本要高于民用热电、水电的发电成本,但是由于种种技术的问题,导致问题短时间内很难解决,降低太阳能光伏发电的成本成为太阳能光伏发电广泛推广应用的障碍。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件,其结构简单,设计合理,安装实现方便,使用操作便捷,使用寿命长,能够显著地提高太阳能发电效率,降低光伏发电的成本,推广应用前景广泛。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件,其特征在于:包括散热板、安装在散热板顶端的绝缘层以及安装在绝缘层顶端的导电板和微型砷化镓太阳能电池芯片,所述导电板为多块且均匀设置在微型砷化镓太阳能电池芯片的周侧,多块所述导电板均通过导线与微型砷化镓太阳能电池芯片电连接。
上述的一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件,其特征在于:所述散热板由铜铝合金材料制成。
上述的一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件,其特征在于:所述绝缘 层为导热绝缘层。
上述的一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件,其特征在于:所述导电板为两块且分别设置在微型砷化镓太阳能电池芯片的两边。
上述的一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件,其特征在于:所述导电板和微型砷化镓太阳能电池芯片均通过散热胶粘合安装在绝缘层顶端。
本发明与现有技术相比具有以下优点:
1、本发明包括散热板、安装在散热板顶端的绝缘层以及安装在绝缘层顶端的导电板和微型砷化镓太阳能电池芯片,导电板为多块且均匀设置在微型砷化镓太阳能电池芯片的周侧,多块导电板均通过导线与微型砷化镓太阳能电池芯片电连接;本发明的结构简单,设计合理,安装实现方便。
2、本发明在使用时,外接太阳能聚光系统后,太阳能聚光系统将太阳光线聚集到微型砷化镓太阳能电池芯片上,砷化镓太阳能电池芯片将光能转换成电能并通过与其通过导线电连接的导电板将电能传输出去,使用操作便捷。
3、本发明中,由于导电板和微型砷化镓太阳能电池芯片均通过散热胶粘合安装在绝缘层顶端,绝缘层的下端安装有散热板,因此能够将导电板和微型砷化镓太阳能电池芯片所发出的热量散发出去,所述散热板由铜铝合金材料制成,散热效果好,能够延长导电板和微型砷化镓太阳能电池芯片的使用寿命,节约更换及维修成本。
4、本发明中采用了微型砷化镓太阳能电池芯片,该芯片具备高倍聚光的特点,通过外接的太阳能聚光系统把太阳光聚焦到几倍、几十倍,或几百倍甚至上千倍,然后投射到该微型砷化镓太阳能电池芯片上,能够显著地提高太阳能发电效率,从而降低光伏发电的成本。
综上所述,本发明结构简单,设计合理,安装实现方便,使用操作便捷,使用寿命长,能够显著地提高太阳能发电效率,降低光伏发电的成本,推广应用前景广泛。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
附图标记说明:
1-导线; 2-散热板; 3-导电板;
4-微型砷化镓太阳能电池芯片; 5-绝缘层。
具体实施方式
如图1所示,本发明包括散热板2、安装在散热板2顶端的绝缘层5以及安装在绝缘层5顶端的导电板3和微型砷化镓太阳能电池芯片4,所述导电板3为多块且均匀设置在微型砷化镓太阳能电池芯片4的周侧,多块所述导电板3均通过导线1与微型砷化镓太阳能电池芯片4电连接。
如图1所示,本实施例中,所述散热板2由铜铝合金材料制成。所述绝缘层5为导热绝缘层。所述导电板3为两块且分别设置在微型砷化镓太阳能电池芯片4的两边。所述导电板3和微型砷化镓太阳能电池芯片4均通过散热胶粘合安装在绝缘层5顶端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的