[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110384891.1 申请日: 2011-11-28
公开(公告)号: CN103137888A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 周明杰;王平;黄辉;陈吉星 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

【背景技术】

1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层小分子有机电致发光器件。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。

在一般的电致发光器件中,一般用金属氧化物(如三氧化钼MoO3或五氧化二钒V2O5)或者聚合物(如聚3,4-二氧乙烯噻吩PEDOT与聚苯磺酸PSS溶液)作为空穴注入层,然后再制备空穴传输层,实现对空穴的注入与传输能力的提高,而金属氧化物作为空穴注入层,毒性较大(如V2O5),不适合未来的应用,另外,金属氧化物具有一定的吸光性(如MoO3常态下呈灰色),会在一定程度下吸收发光层出射的光线,降低了发光效率。而聚合物一般是酸性水溶液,对铟锡氧化物玻璃(ITO)有一定的腐蚀作用,长期下来对器件的稳定性有很大的影响。而如果用小分子,如CuPc,由于它是多晶结构,很容易促使半晶的空穴传输层(如NPB)成核和结晶,造成了电子陷阱,对空穴进行捕获,不利于传输。

【发明内容】

基于此,有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及金属阴极,其中,所述空穴注入层的材料为碱性金属氧化物掺杂的p型半导体材料,所述碱性金属氧化物的掺杂质量百分比例为0.5%~5%,所述碱性金属氧化物为氧化镁、氧化钙或氧化铝。

在优选的实施例中,所述碱性金属氧化物为氧化镁、氧化钙或氧化铝。

在优选的实施例中,所述p型半导体材料为氧化锌、二氧化钛、二氧化硅或氧化硅。

在优选的实施例中,所述阳极为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌或掺铟的氧化锌。

在优选的实施例中,所述空穴传输层与电子阻挡层的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

在优选的实施例中,所述电子传输层与空穴阻挡层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。

在优选的实施例中,所述发光层的材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、8-羟基喹啉铝、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱的至少一种。

在优选的实施例中,所述发光层的材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、8-羟基喹啉铝、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(2-苯基吡啶)合铱的至少一种与所述空穴传输层的材料或所述电子传输材料的一种或两种进行混合掺杂形成。

在优选的实施例中,所述电子注入层的材料为碳酸铯、叠氮铯或氟化锂。

在优选的实施例中,所述阴极为银、铝、铂、金或镁银合金。

一种有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:

步骤一、清洗阳极;

步骤二、用电子束在所述阳极上蒸镀掺杂碱性金属氧化物的p型半导体材料,以形成空穴注入层,其中所述碱性金属氧化物的掺杂质量百分比例为0.5%~5%,所述碱性金属氧化物为氧化镁、氧化钙或氧化铝;及

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