[发明专利]吉尔伯特型混频器

权利要求书

1.一种吉尔伯特型混频器(200)，包括：

四个开关晶体管(Q3，Q4，Q5，Q6)；

两个中频晶体管(Q1，Q2)；和

一个或多个直流去耦元件(202)，耦接在开关晶体管(Q3，Q4，Q5，Q6)和中频晶体管(Q1，Q2)之间以将开关晶体管(Q3，Q4，Q5，Q6)与中频晶体管(Q1，Q2)直流去耦。

2.根据权利要求1所述的吉尔伯特型混频器(200)，还包括电阻元件(210)，所述电阻元件(210)连接至每个开关晶体管(Q3，Q4，Q5，Q6)的发射极以偏置开关晶体管。

3.根据权利要求2所述的吉尔伯特型混频器(200)，其中所述电阻元件具有大的电阻值，并且在使用中小电流流过开关晶体管。

4.根据权利要求3所述的吉尔伯特型混频器(200)，其中所述电阻元件的电阻值为1、2、5、10、20kΩ的量级。

5.根据前述权利要求中任一项所述的吉尔伯特型混频器(200)，其中所述一个或多个直流去耦元件连接在开关晶体管(Q3，Q4，Q5，Q6)的发射极和中频晶体管(Q1，Q2)的集电极之间。

6.根据前述权利要求中任一项所述的吉尔伯特型混频器(200)，其中所述一个或多个直流去耦元件(202)包括一个或多个电容器(C_d1)。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的吉尔伯特型混频器(200)，其中所述一个或多个直流去耦元件(202)包括滤波器、变压器和放大器中的一个或多个。

8.根据权利要求6所述的吉尔伯特型混频器(200)，其中：

第一开关晶体管(Q3)的发射极耦接至第一去耦电容器(C_d1)的第一极板，且第一去耦电容器(C_d1)的第二极板耦接至第一中频晶体管(Q1)的集电极；

第二开关晶体管(Q4)的发射极耦接至第二去耦电容器(C_d1)的第一极板，且第二去耦电容器(C_d1)的第二极板耦接至第一中频晶体管(Q1)的集电极；

第三开关晶体管(Q5)的发射极耦接至第三去耦电容器(C_d1)的第一极板，且第三去耦电容器(C_d1)的第二极板耦接至第二中频晶体管(Q2)的集电极；

第四开关晶体管(Q6)的发射极耦接至第四去耦电容器(C_d1)的第一极板，且第四去耦电容器(C_d1)的第二极板耦接至第二中频晶体管(Q2)的集电极。

9.根据权利要求6所述的吉尔伯特型混频器(200)，其中：

第一开关晶体管(Q3)的集电极耦接至第一去耦电容器的第一极板，且第一去耦电容器的第二极板耦接至第一中频晶体管(Q1)的集电极或发射极；

第二开关晶体管(Q4)的集电极耦接至第二去耦电容器的第一极板，且第二去耦电容器的第二极板耦接至第一中频晶体管(Q1)的集电极或发射极；

第三开关晶体管(Q5)的集电极耦接至第三去耦电容器的第一极板，且第三去耦电容器的第二极板耦接至第二中频晶体管(Q2)的集电极或发射极；

第四开关晶体管(Q6)的集电极耦接至第四去耦电容器的第一极板，且第四去耦电容器的第二极板耦接至第二中频晶体管(Q2)的集电极或发射极。

10.根据权利要求6所述的吉尔伯特型混频器(200)，其中：

第一开关晶体管(Q3)的发射极耦接至第一去耦电容器的第一极板，且第一去耦电容器的第二极板耦接至第一中频晶体管(Q1)的集电极或发射极；

第二开关晶体管(Q4)的发射极耦接至第二去耦电容器的第一极板，且第二去耦电容器的第二极板耦接至第一中频晶体管(Q1)的集电极或发射极；

第三开关晶体管(Q5)的发射极耦接至第三去耦电容器的第一极板，且第三去耦电容器的第二极板耦接至第二中频晶体管(Q2)的集电极或发射极；

第四开关晶体管(Q6)的发射极耦接至第四去耦电容器的第一极板，且第四去耦电容器的第二极板耦接至第二中频晶体管(Q2)的集电极或发射极。