[发明专利]电源切换电路及其电源切换方法有效

专利信息
申请号: 201110385142.0 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN103138376A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 洪榆棍;王文宏;黄威翔 申请(专利权)人: 环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司
主分类号: H02J9/04 分类号: H02J9/04
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 薛琦;朱水平
地址: 201203 上海市浦东新区张*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电源 切换 电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种电源切换电路,用于切换一第一电源与一第二电源,其特征在于,该电源切换电路包含:

一第一开关电路,耦接于该第一电源,根据该第一电源的电压位准决定导通或关闭;

一第二开关电路,耦接于该第一开关电路、该第二电源和一负载之间,根据该第一电源和该第二电源的电压位准决定导通或关闭;以及

一缓启动电路,耦接于该第一开关电路和该负载之间;

其中,当该第一电源的电压位准大于一预设值时,该第一开关电路导通且该第二开关电路关闭;当该第一电源的电压位准小于该预设值时,该第一开关电路关闭且该第二开关电路导通,其中该缓启动电路在该第一开关电路导通一预设时间后导通。

2.如权利要求1所述的电源切换电路,其特征在于,该第一开关电路包括:

一第一P型场效应晶体管,其漏极耦接于该第一电源;

一第一电阻,耦接于该第一电源和一接地端之间;

一第二电阻,具有一第一端,耦接于该第一P型场效应晶体管的漏极;

一第三电阻,具有一第一端,耦接于该第一P型场效应晶体管的栅极;

一第四电阻,耦接于该第一P型场效应晶体管的源极和栅极之间;

一第一电容,耦接于该第二电阻的一第二端和该接地端之间;以及

一第一NPN晶体管,其集电极耦接于该第三电阻的一第二端,其基极耦接于该第二电阻的该第二端,其发射极耦接于该接地端。

3.如权利要求1所述的电源切换电路,其特征在于,该第二开关电路包括:

一第五电阻,具有一第一端,耦接于该第二电源;

一第二P型场效应晶体管,其漏极耦接于该第五电阻的一第二端;

一第一二极管,其阳极耦接于该第一电源,其阴极耦接于该第二P型场效应晶体管的栅极;

一第二二极管,其阳极耦接于该第二P型场效应晶体管的漏极,其阴极耦接于该第二P型场效应晶体管的源极;

一第六电阻,具有一第一端,耦接于该第二P型场效应晶体管的漏极;

一第七电阻,具有一第一端,耦接于该第二P型场效应晶体管的栅极;

一第八电阻,耦接于该第二P型场效应晶体管的源极和栅极之间;以及

一第二NPN晶体管,其集电极耦接于该第七电阻的一第二端,其基极耦接于该第六电阻的一第二端,其发射极耦接于一接地端。

4.如权利要求2所述的电源切换电路,其特征在于,该第二开关电路包括:

一第五电阻,具有一第一端,耦接于该第二电源;

一第二P型场效应晶体管,其漏极耦接于该第五电阻的一第二端;

一第一二极管,其阳极耦接于该第一电源,其阴极耦接于该第二P型场效应晶体管的栅极;

一第二二极管,其阳极耦接于该第二P型场效应晶体管的漏极,其阴极耦接于该第二P型场效应晶体管的源极;

一第六电阻,具有一第一端,耦接于该第二P型场效应晶体管的漏极;

一第七电阻,具有一第一端,耦接于该第二P型场效应晶体管的栅极;

一第八电阻,耦接于该第二P型场效应晶体管的源极和栅极之间;以及

一第二NPN晶体管,其集电极耦接于该第七电阻的一第二端,其基极耦接于该第六电阻的一第二端,其发射极耦接于该接地端。

5.如权利要求1所述的电源切换电路,其特征在于,该缓启动电路包括:

一第三P型场效应晶体管,其源极耦接于该第一开关电路的输出;

一第九电阻,耦接于该第一开关电路的输出和一接地端之间;

一第十电阻,耦接于该第三P型场效应晶体管的源极和栅极之间;

一第十一电阻,耦接于该第三P型场效应晶体管的栅极和该接地端之间;以及

一第二电容,耦接于该第三P型场效应晶体管的源极和栅极之间。

6.如权利要求2所述的电源切换电路,其特征在于,该缓启动电路包括:

一第三P型场效应晶体管,其源极耦接于该第一开关电路的输出;

一第九电阻,耦接于该第一开关电路的输出和该接地端之间;

一第十电阻,耦接于该第三P型场效应晶体管的源极和栅极之间;

一第十一电阻,耦接于该第三P型场效应晶体管的栅极和该接地端之间;以及

一第二电容,耦接于该第三P型场效应晶体管的源极和栅极之间。

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