[发明专利]光学传感器和图像形成设备有效
申请号: | 201110385207.1 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102478773A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 星文和;大场义浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | G03G15/00 | 分类号: | G03G15/00;G01N21/55;G01N21/47;G01S17/06 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;曾贤伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 传感器 图像 形成 设备 | ||
1.一种光学传感器,其包括:
照射系统,其包括具有多个发光部件的半导体激光器;以及
至少一个光检测器,其被配置为检测光的量,所述光是从所述照射系统发射的并在类似纸张的对象上反射。
2.根据权利要求1所述的光学传感器,其中
所述半导体激光器是垂直腔面发射激光器。
3.根据权利要求1所述的光学传感器,其中
二维排布所述多个发光部件。
4.根据权利要求1所述的光学传感器,其中
对于一个方向,在所述多个发光部件的子集中包括的任何两个相邻发光部件之间的距离不同于不在所述子集中包括的任何两个相邻发光部件之间的距离。
5.根据权利要求1所述的光学传感器,其中
所述光学传感器包括波长改变单元,所述波长改变单元使得从所述半导体激光器发射的光的波长相对于时间变化。
6.根据权利要求5所述的光学传感器,其中
所述波长改变单元通过相对于时间改变向所述半导体激光器供应的驱动电流的量,使得从所述半导体激光器发射的光的波长相对于时间变化。
7.根据权利要求1所述的光学传感器,其中
所述至少一个光检测器包括第一光检测器和第二光检测器;
所述第一光检测器被放置在镜反射光的光路径上,所述镜反射光是在所述对象上规则反射的光;
所述第二光检测器被放置在漫反射光的光路径上,所述漫反射光是在所述对象的入射平面内的所述对象上漫反射的光;
从所述照射系统发射的光是在第一偏振方向上偏振的线性偏振光;和
所述光学传感器包括在所述漫反射光的光路径上放置的光学元件,所述漫反射光朝向所述第二光检测器行进,其中所述光学元件透射在与所述第一偏振方向垂直的第二偏振方向上偏振的线性偏振光。
8.根据权利要求7所述的光学传感器,还包括:
第三光检测系统,其包括被放置在漫反射光的光路径上的至少一个光检测器,所述漫反射光是在所述对象的入射平面内的所述对象上漫反射的光;和
处理单元,其被配置为基于来自所述第三光检测系统的至少一个光检测器的输出与来自所述第一光检测器的输出之间的比率、以及来自所述第二光检测器的输出,来识别所述对象。
9.根据权利要求7所述的光学传感器,还包括:
第三光检测系统,其包括被放置在漫反射光的光路径上的至少一个光学元件和至少一个光检测器,所述漫反射光是在所述对象的入射平面内的所述对象上漫反射的光,所述至少一个光学元件透射在所述第二偏振方向上偏振的线性偏振光,并且所述至少一个光检测器接收透射通过所述至少一个光学元件的光;和
处理单元,其被配置为基于来自所述第三光检测系统的至少一个光检测器的输出与来自所述第二光检测器的输出之间的比率、以及来自所述第一光检测器的输出,来识别所述对象。
10.根据权利要求7所述的光学传感器,还包括:
第三光检测系统,其包括被放置在漫反射光的光路径上的至少一个光检测器,所述漫反射光是在所述对象的入射平面内的所述对象上漫反射的光;
第四光检测系统,其包括被放置在漫反射光的光路径上的至少一个光学元件和至少一个光检测器,所述漫反射光是在所述对象的入射平面内的所述对象上漫反射的光,所述至少一个光学元件透射在所述第二偏振方向上偏振的线性偏振光,并且所述至少一个光检测器接收透射通过所述至少一个光学元件的光;和
处理单元,其被配置为基于来自所述第三光检测系统的至少一个光检测器的输出与来自所述第一光检测器的输出之间的比率、以及来自所述第四光检测系统的至少一个光检测器的输出与来自所述第二光检测器的输出之间的比率,来识别所述对象。
11.根据权利要求1所述的光学传感器,其中
所述照射系统包括光源和使光通量的光路径按入射方向弯曲的光路径改变元件。
12.根据权利要求11所述的光学传感器,还包括:
使在所述对象上反射的光的光路径按朝向所述至少一个光检测器的方向弯曲的光路径改变元件。
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