[发明专利]非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110385435.9 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102394242A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 廖蕾;刘曰利;刘兴强;陈文;贺彪 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 复合 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管，其特征在于，以柔性氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳纳米管和氧化铟锌的质量比在0.027%-2.74%之间。
2.权利要求1所述的复合薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
1）将碳纳米管超声分散于有机溶剂中作为母液待用，将摩尔比1:1的四水合硝酸铟和二水合醋酸锌溶于乙二醇甲醚中，溶液记为A，并按照乙醇胺：铟=10：1的摩尔浓度比加入乙醇胺作为稳定剂；
2）向溶液A中添加分散均匀的碳纳米管母液并超声分散，使A中碳纳米管质量为In(NO3)3·4H2O和C4H6O4Zn·2H2O总质量的0.01 %-1%；然后旋涂于预先生长有绝缘层的衬底上，烘干后继续旋涂，直至30-60 nm；
3）在大气中300-400℃热退火，即得到IZO/CNT非晶复合薄膜材料，在得到的复合薄膜中，CNT和氧化铟锌的质量比为0.027%-2.74%之间；
4)利用紫外光刻技术，通过第一次掩膜，利用湿法刻蚀将复合薄膜刻蚀成小块，接着经过第二次光刻掩膜、Ti/Al电极蒸镀及剥离即可获得IZO/CNT复合薄膜晶体管。
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